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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115285931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210942514.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法是由朱五林设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法，包括：1选取单抛单晶硅片，所述单抛单晶硅片包括彼此相反的抛光面和第二表面，在抛光面和第二表面上分别沉积氮化硅保护膜，利用磁控溅射在抛光面的氮化硅保护膜上镀铝保护膜；2利用光刻工艺将掩模板图形转移到抛光面的铝保护膜上；3对铝保护膜进行刻蚀，对抛光面上的氮化硅保护膜进行刻蚀；4对步骤3后硅片抛光面进行各向异性刻蚀得到圆柱体阵列结构；5对步骤4后的硅片进行各向同性湿法腐蚀，刻蚀出径向可控的锥形阵列结构，腐蚀液置于冰水混合物槽中；6清洗步骤5后的硅片，去除硅片上残余酸性腐蚀液。本发明解决了硅圆柱径向刻蚀速率调制问题。

本发明授权一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1选取111晶向单抛单晶硅片，所述单抛单晶硅片包括彼此相反的抛光面和第二表面，在抛光面和第二表面上分别沉积氮化硅保护膜，然后在抛光面的氮化硅保护膜上镀铝保护膜；Si3N4保护膜的厚度为100nm~800nm；镀铝保护膜的厚度为100nm~1200nm； 2在抛光面的铝保护膜上旋涂光刻胶，利用光刻工艺将掩模板图形转移到抛光面的铝保护膜上； 3利用电感耦合等离子体刻蚀系统对铝保护膜进行刻蚀，采用反应离子刻蚀干法刻蚀工艺对抛光面的氮化硅保护膜进行刻蚀； 4利用低温等离子体深硅刻蚀工艺，对步骤3后的硅片抛光面进行各向异性刻蚀得到圆柱体阵列结构；低温等离子体中的低温是指温度为-150℃~-30℃；深硅刻蚀工艺中的深硅刻蚀是指硅刻蚀深度大于100微米； 5利用酸性腐蚀液对步骤4后的硅片进行各向同性湿法腐蚀；将硅片悬空倒置，在受控条件下使硅片浸入酸腐蚀液，未被氮化硅膜保护的硅单晶与酸腐蚀液在接触面上不断进行氧化和溶解，在反复提拉和浸渍过程中，刻蚀出径向可控的锥形阵列结构，腐蚀液置于冰水混合物槽中； 6清洗步骤5后的硅片，去除硅片上残余酸性腐蚀液。

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