苏州大学陶雪慧获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115329278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210957006.2,技术领域涉及:G06F17/18;该发明授权箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法是由陶雪慧;杨勇;陈蓉设计研发完成,并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法在说明书摘要公布了:本发明揭示了一种箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法,包括:S1、获取输入交流电流时箔式绕组型高频变压器第p层初级绕组在频域中的磁场强度;S2、将第p层初级绕组在频域中的磁场强度转化为第p层初级绕组在时域中的磁场强度;S3、根据第p层初级绕组在时域中的磁场强度获取第p层初级绕组中磁场强度的有效值;S4、根据第p层初级绕组磁场强度的有效值获取初级绕组的磁场能量,并根据初级绕组的磁场能量获取初级绕组内的漏感;S5、根据第一绝缘层和第二绝缘层中的磁场强度获取第一绝缘层和第二绝缘层中的漏感;S6、获取箔式绕组型高频变压器中初级绕组的总漏感。
本发明授权箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法在权利要求书中公布了:1.一种箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法,所述箔式绕组型高频变压器包括磁芯、距离磁芯距离逐渐增大的多层绕组、及位于相邻绕组间的绝缘层,所述绕组包括若干初级绕组及若干次级绕组,所述绝缘层包括位于初级绕组之间的第一绝缘层及位于初级绕组和次级绕组之间的第二绝缘层,其特征在于,所述方法包括: S1、获取输入交流电流时箔式绕组型高频变压器第p层初级绕组在频域中的磁场强度; S2、将第p层初级绕组在频域中的磁场强度转化为第p层初级绕组在时域中的磁场强度; S3、根据第p层初级绕组在时域中的磁场强度获取第p层初级绕组中磁场强度的有效值; S4、根据第p层初级绕组磁场强度的有效值获取初级绕组的磁场能量,并根据初级绕组的磁场能量获取初级绕组内的漏感Lcu_f; S5、根据第一绝缘层和第二绝缘层中的磁场强度获取第一绝缘层和第二绝缘层中的漏感Lu及Lg; S6、获取箔式绕组型高频变压器中初级绕组的总漏感Lpri=Lcu_f+Lu+Lg; 所述步骤S1中,箔式绕组型高频变压器第p层初级绕组在频域中的磁场强度为: 其中,为第一层初级绕组远离磁芯一侧边界的磁场强度,bf为初级绕组高度,h为初级绕组厚度,为初级绕组输入交流电流的向量形式,α为复传播常数,满足δwf为趋肤深度且满足ω为角频率,满足ω=2πf,f为交流电流的频率,μ0为真空中的磁导率,σ为初级绕组的电导率,j为复数中虚数的单位,x是第p层初级绕组中的横轴x的坐标,以第p层初级绕组最左侧边缘为坐标原点,x轴向第p层初级绕组右侧延伸直到最右侧边缘为止; 所述步骤S2具体为: 根据第p层初级绕组在频域中的磁场强度获取磁场强度的模和复角φ1; 将第p层初级绕组在频域中相量形式的磁场强度转化为第p层初级绕组在时域中的磁场强度HZt,x。
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