北京北方华创微电子装备有限公司戴庚霖获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体工艺设备及其下电极装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211032710.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种半导体工艺设备及其下电极装置是由戴庚霖;茅兴飞;李岩;王松;刘晓行;王伟;杨纪鹏;杨延铭;姚卫杰设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体工艺设备及其下电极装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体工艺设备及其下电极装置，涉及半导体制造领域，其中设置了连接机构，连接机构中的射频转接件将射频传输件与卡盘电连接，射频通过射频传输件和射频转接件馈入卡盘中；连接机构中的第一转接线路将第一线缆输出的第一交流电信号导入卡盘中的第一加热元件，进而实现卡盘的加热功能。射频转接件与卡盘之间具有屏蔽腔，第一电路转接板设置在屏蔽腔中，避免了射频对第一电路转接板的干扰。本申请取消了陶瓷绝缘盘与卡盘之间的树脂转接盘，由第一电路转接板对转接电路进行支撑和固定。树脂转接盘所在空间由空气填充，空气的介电常数小于树脂的介电常数，可减小卡盘的对地电容。
本发明授权一种半导体工艺设备及其下电极装置在权利要求书中公布了：1.一种下电极装置，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括卡盘、线缆组件和连接机构，其中，所述卡盘用于承载晶圆；所述线缆组件包括用于传输射频信号的射频传输件和用于传输第一交流信号的第一线缆； 所述连接机构包括射频转接件和第一电路转接板，所述射频转接件设置于所述卡盘的底部，且与所述卡盘电连接，并在所述射频转接件和所述卡盘之间形成有屏蔽腔，所述射频转接件用于将所述射频传输件输出的所述射频信号馈入所述卡盘； 所述第一电路转接板位于所述屏蔽腔中，且与所述射频转接件电连接，所述第一电路转接板上设置有第一转接线路，所述第一转接线路与所述第一线缆的输出端电连接，用于将所述第一线缆输出的所述第一交流信号导入所述卡盘中的第一加热元件。
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