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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210905160.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺是由严立巍;文锺;刘文杰;林春慧设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺，本发明包括以下步骤：S1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ILD层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂；通过本发明的工艺可以在碳化硅晶圆上先制作钛金属层和镍金属层，由玻璃载盘进行承载，能够辅助碳化硅晶圆的加工和转移，使得进行RTA工艺时，能够对晶圆整体置于高温环境下整体进行加热，使得RTA合金工艺效果更好，欧姆接触效果更佳，最后再沉积铝金属层，完成碳化硅晶圆的RTA快速合金，避免因为RTA工艺的高温造成造成铝金属层融化。

本发明授权一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ILD层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂； S2、对于步骤S1中得到的碳化硅晶圆，首先在碳化硅晶圆的背面沉积一层钛金属层，再在钛金属层表面沉积一层镍金属层，然后取一个底部开设有小孔的玻璃载盘，翻转碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆背面贴合在底部带有小孔的玻璃载盘上，最后对碳化硅晶圆正面的玻璃载板进行解键合； S3、对于步骤S2中得到的碳化硅晶圆，翻转碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆的正面贴合到玻璃载盘上，移除背面的玻璃载盘，再对碳化硅晶圆背面的金属层进行RTA快速合金工艺，使碳化硅晶圆的背面形成欧姆接触，最后在碳化硅晶圆背面沉积一层银金属层； S4、对于步骤S3中得到的碳化硅晶圆，翻转晶圆，将碳化硅晶圆的背面贴合在玻璃载盘上，移除碳化硅晶圆正面的玻璃载盘，最后再在碳化硅晶圆正面沉积铝金属层； S5、对于步骤S4中得到的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆正面所沉积的铝金属层制作成铝接触点，然后在碳化硅晶圆正面涂布聚酰亚胺，最后进行化镀工艺，在碳化硅晶圆正面的铝接触点表面制作金属连接点。

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