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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利HEMT半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211128842.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权HEMT半导体器件是由黄汇钦;吴龙江;曾健忠设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本HEMT半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种HEMT半导体器件，包括：依次层叠设置的半导体衬底、沟道层和势垒层；源极焊垫层设于第一功能区的上方；多个源极指叉金属场板均设于第二功能区上，多个源极指叉金属场板均与源极焊垫层连接；漏极焊垫层设于第三功能区的上方；多个漏极指叉金属场板设于第二功能区上，多个漏极指叉金属场板与漏极焊垫层连接；至少一个集成电路设于沟道层和势垒层内，且位于第一功能区内和或者第三功能区内；隔离层设于沟道层和势垒层内。由于集成电路不用与焊垫层直接连接，因此集成电路受到的焊垫层的应力影响极小，可以直接配置在焊垫层的下方，充分利用了指叉式HEMT半导体器件的内部空间，使指叉式HEMT半导体器件的结构更加紧凑。

本发明授权HEMT半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种HEMT半导体器件，其特征在于，包括： 依次层叠设置的半导体衬底、沟道层和势垒层；所述势垒层划分为第一功能区、第二功能区和第三功能区，所述第一功能区、所述第二功能区和所述第三功能区互不重叠； 源极焊垫层，设于所述第一功能区的上方； 多个源极指叉金属场板，均设于所述第二功能区上，多个所述源极指叉金属场板均与所述源极焊垫层连接； 漏极焊垫层，设于所述第三功能区的上方； 多个漏极指叉金属场板，均设于所述第二功能区上，多个所述漏极指叉金属场板均与所述漏极焊垫层连接，其中，多个所述漏极指叉金属场板与所述源极指叉金属场板交叉设置； 至少一个集成电路，设于所述沟道层和所述势垒层内，且位于所述第一功能区内和或者所述第三功能区内； 隔离层，设于所述沟道层和所述势垒层内，用于隔离所述集成电路与所述源极指叉金属场板之间的所述沟道层中的二维电子气通道和或隔离所述集成电路与所述漏极指叉金属场板之间的所述沟道层中的所述二维电子气通道。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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