杭州众能光电科技有限公司张文君获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州众能光电科技有限公司申请的专利一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211292130.8，技术领域涉及：H10K30/80；该发明授权一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法是由张文君;石磊;付超设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件，属于新材料太阳能电池领域，在现有的反式平板结构的薄膜光电器件中，导电基底与空穴传输层都是简单的物理叠加，导电基底与空穴传输层的接触电阻较大，电荷传输损失比较大，限制电池光电转换效率的提升，针对该问题，本发明提结构为ITO透明导电层，原位制备ITO‑金属氧化物复合隧穿层，金属氧化物空穴传输层，接着制备有机无机杂化半导体薄膜，随后沉积电子传输层，接着沉积一层界面修饰层，最后沉积一层电极层。
本发明授权一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件，其特征在于：从下至上由ITO导电层、ITO-金属氧化物复合隧穿层、金属氧化物空穴传输层、有机无机杂化半导体薄膜、电子传输层、界面修饰层和背电极层组成； 所述有机无机杂化半导体薄膜为ABX3，A＝CH3NH3+或CHNH22+或Cs+或三者混合物；B＝Pb或Sn；X＝Cl-、Br-、I-或其混合物； 所述电子传输层为富勒烯薄膜，所述富勒烯薄膜为C60以及其衍生物； 所述的界面修饰层为：LiF、BCP、TiOx或SnOx； 所述的背电极层为：Cu、Ag、ITO、IWO或AZO； 所述ITO导电层、ITO-金属氧化物复合隧穿层以及金属氧化物空穴传输层的制备方法为：将清洗干净的白玻璃基底放入到磁控溅射腔室中，先打开ITO溅射电源溅射制备单ITO薄膜，形成ITO导电层，然后打开金属氧化物溅射电源，进行ITO和金属氧化物的共溅射，形成ITO-金属氧化物复合隧穿层，然后关闭ITO溅射电源，进行单金属氧化物薄膜溅射，形成金属氧化物空穴传输层。
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