买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利准垂直功率器件及其制作方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211342582.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权准垂直功率器件及其制作方法、芯片是由赵昕;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本准垂直功率器件及其制作方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请提出一种准垂直功率器件及其制作方法、芯片，其中，准垂直功率器件包括衬底、在所述衬底上沿第一方向依次层叠设置的缓冲层、氮化镓高掺杂N+层、氮化镓低掺杂N‑层、氮化镓P型衬底和氮化镓N型有源区，准垂直功率器件通过设置两个凹槽并分别设置欧姆接触金属和肖特基接触金属，进行欧姆接触和肖特基接触，分别等效形成准垂直MOSFET和肖特基势垒二极管，准垂直MOSFET和肖特基势垒二极管并联集成，降低了反向恢复损耗，提升了反向恢复速度，具有更快的开关特性，可以用在高频场合，例如降压升压转换器、电压源逆变器和谐振转换器等。

本发明授权准垂直功率器件及其制作方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种准垂直功率器件，其特征在于，包括： 衬底； 在所述衬底上沿第一方向依次层叠设置的缓冲层、氮化镓高掺杂N+层、氮化镓低掺杂N-层、氮化镓P型衬底和氮化镓N型有源区； 在所述氮化镓高掺杂N+层朝向所述氮化镓低掺杂N-层的一侧还设置有刻蚀形成的第一台面区域和第二台面区域，所述第一台面区域和所述第二台面区域沿第二方向设置于所述氮化镓N型有源区的两端，所述第一方向和所述第二方向交叉； 沿所述第二方向并排设置的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽贯穿所述氮化镓N型有源区和所述氮化镓P型衬底并延伸至所述氮化镓低掺杂N-层； 设置于所述第一凹槽和所述第二凹槽表面的绝缘层； 设置于所述绝缘层表面的欧姆接触金属和肖特基接触金属，所述欧姆接触金属位于所述第一凹槽内，所述肖特基接触金属位于所述第二凹槽内，其中，位于凹槽底部的部分所述肖特基接触金属与所述氮化镓低掺杂N-层直接接触； 分别设置于所述第一台面区域和所述第二台面区域上的两个漏电极； 分别设置于所述氮化镓N型有源区表面的两个源电极，两个所述源电极沿所述第二方向设置于所述氮化镓N型有源区的两端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。