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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利全垂直功率器件及其制作方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211342581.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权全垂直功率器件及其制作方法、芯片是由赵昕;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本全垂直功率器件及其制作方法、芯片在说明书摘要公布了：本发明提出一种全垂直功率器件及其制作方法、芯片，其中，全垂直功率器件包括衬底、衬底上沿第一方向依次层叠设置的缓冲层、氮化镓高掺杂N+层、氮化镓低掺杂N‑层、氮化镓P型衬底和氮化镓N型有源区，全垂直功率器件通过设置两个凹槽并分别设置欧姆接触金属和肖特基接触金属，进行欧姆接触和肖特基接触，同时，在全垂直型MOSFET的栅极下增加了第一P+掺杂区和第二P+掺杂区，分别等效形成全垂直型MOSFET和结势垒二极管，准垂直MOSFET和结势垒二极管并联集成，P+掺杂区提高了结势垒二极管的反向耐压，同时，通过形成沟槽，为全垂直型MOSFET提供了更大的电流容量和更小的导通电阻。

本发明授权全垂直功率器件及其制作方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种全垂直功率器件，其特征在于，包括： 衬底，在所述衬底上沿第一方向依次层叠设置的缓冲层、氮化镓高掺杂N+层、氮化镓低掺杂N-层、氮化镓P型衬底和氮化镓N型有源区； 在所述氮化镓低掺杂N-层内形成的第一P+掺杂区和第二P+掺杂区，所述第一P+掺杂区和所述第二P+掺杂区沿第二方向依次设置，所述第一方向和所述第二方向交叉； 沿所述第二方向并排设置的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽贯穿所述氮化镓N型有源区和所述氮化镓P型衬底并延伸至所述氮化镓低掺杂N-层； 分别设置于所述第一凹槽和所述第二凹槽表面的绝缘层，其中，位于所述第一凹槽底部的绝缘层与所述第一P+掺杂区接触； 设置于所述绝缘层表面的欧姆接触金属和肖特基接触金属，所述欧姆接触金属位于所述第一凹槽内，所述肖特基接触金属位于所述第二凹槽内，其中，位于凹槽底部的部分所述肖特基接触金属与所述氮化镓低掺杂N-层、所述第一P+掺杂区和所述第二P+掺杂区接触； 沟槽，所述沟槽贯穿所述衬底和所述缓冲层并延伸至所述氮化镓高掺杂N+层； 设置于所述沟槽表面的漏电极，以及分别设置于所述氮化镓N型有源区表面的两个源电极，两个所述源电极沿所述第二方向设置于所述氮化镓N型有源区的两侧。

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