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龙图腾网获悉三星SDI株式会社申请的专利抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210845633.7，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法是由崔有廷;权纯亨;金旼秀;金圣振;白载烈;阵和英;南宫烂;朴贤;宋大锡设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种抗蚀剂底层组合物，所述抗蚀剂底层组合物包含：聚合物，包含主链、侧链或包含在环中包含两个或大于两个氮原子的杂环的主链和侧链；化合物，包含由化学式1表示的部分；以及溶剂；以及一种使用抗蚀剂底层组合物形成图案的方法：化学式1的定义与实施方式中所描述的相同。[化学式1]

本发明授权抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法在权利要求书中公布了：1.一种抗蚀剂底层组合物，包括： 聚合物，包含主链、侧链或包含在环中包含两个或大于两个氮原子的杂环的主链以及侧链，其中所述聚合物包括由化学式2到化学式5表示的结构单元中的任一或多者； 化合物，包含由化学式1表示的部分；以及 溶剂， 其中所述化合物的分子量为1,000克摩尔到50,000克摩尔， 其中所述聚合物与所述化合物的重量比为9:1到1:9： [化学式1] 其中，在化学式1中， Ar1为包含杂环的基团， Ar2为经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基， B1以及B2各自独立地为单键、经取代或未经取代的C1到C10脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基或其组合， X1到X4各自独立地为氢、氘、羟基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、卤素原子、经取代或未经取代的C1到C30脂肪族烃基、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基、经取代或未经取代的C2到C30杂环基或其组合， l、m以及n各自独立地为0到5的整数，以及 o为1到30的整数， [化学式2] [化学式3] [化学式4] [化学式5] 其中，在化学式2到化学式5中， A为在环中含有两个或大于两个氮原子的杂环， Ra、Rb以及Rc各自独立地为羟基、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C2到C10烯基、经取代或未经取代的C2到C10炔基、经取代或未经取代的C1到C10杂烷基、经取代或未经取代的C1到C10杂烯基、经取代或未经取代的C1到C10杂炔基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C20芳基、经取代或未经取代的C1到C20杂芳基或其组合， L1到L5各自独立地为单键、经取代或未经取代的C1到C10亚烷基、经取代或未经取代的C1到C10杂亚烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20杂亚环烷基、经取代或未经取代的C6到C20亚芳基、经取代或未经取代的C1到C20杂亚芳基或其组合， L6为未经取代的C1亚烷基， M1到M5各自独立地为单键、-O-、-S-、-S＝O-、-S＝O2-、-C＝O-、-COO-、-OCOO-、-NR””-或其组合，其中R””为氢、氘或C1到C10烷基，以及 *为连接点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星SDI株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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