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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利提高亮度一致性的发光二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211153536.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权提高亮度一致性的发光二极管的制备方法是由林云真;陈建南;田艳红;尹灵峰;王江波;梅劲设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高亮度一致性的发光二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括多个发光二极管芯片；检测发光二极管芯片的发光亮度；减小第一发光二极管芯片的发光区的面积，所述第一发光二极管芯片为发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片。通过对晶圆中的发光二极管芯片的发光亮度进行检测，能够得到发光二极管芯片实际的发光亮度与基准亮度之间的大小关系，对于发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片，通过减小其发光区的面积，降低其发光亮度，使发光二极管芯片的发光亮度更加接近于基准亮度，从而提高同一晶圆制得的发光二极管的发光亮度的一致性。

本发明授权提高亮度一致性的发光二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一晶圆，所述晶圆包括多个发光二极管芯片20； 从所述多个发光二极管芯片20中抽检预设数量或预设比例的发光二极管芯片20的发光亮度； 将所述晶圆划分为不重叠的多个分布区域10a； 分别确定每个所述分布区域10a中，抽检出的发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片20的发光亮度与所述基准亮度的偏离程度，所述偏离程度是同一所述分布区域10a中，抽检出的发光亮度高于所述基准亮度的所述发光二极管芯片20的平均发光亮度与所述基准亮度的差值，以及抽检出的发光亮度高于所述基准亮度的所述发光二极管芯片20的平均发光亮度与所述基准亮度的比值； 基于所述偏离程度，对至少部分所述分布区域10a进行补充抽检，所述补充抽检为选取未进行抽检的发光二极管芯片20进行发光亮度的检测，选取的数量与所述偏离程度正相关； 减小第一发光二极管芯片210的发光区201a的面积，所述第一发光二极管芯片210为发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片20。

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