三菱电机株式会社海老原洪平获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置以及电力变换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180038495.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置以及电力变换装置是由海老原洪平;日野史郎设计研发完成，并于2021-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及电力变换装置在说明书摘要公布了：缓和对半导体装置的表面电极的恶劣影响。半导体装置具备：第1阱区域，形成于漂移层的上表面的表层；栅极电极；第2阱区域，在俯视时包围第1阱区域；以及栅极部，覆盖层间绝缘膜和从层间绝缘膜露出的栅极电极。而且，栅极电极的外侧端部比栅极部的外侧端部更远离第1阱区域、并且比第2阱区域的外侧端部更接近第1阱区域。
本发明授权半导体装置以及电力变换装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第1导电类型的漂移层； 第2导电类型的第1阱区域，形成于所述漂移层的上表面的表层； 第1导电类型的源极区域，形成于所述第1阱区域的表层； 栅极绝缘膜，与被所述源极区域和所述漂移层夹着的所述第1阱区域接触地形成； 栅极电极，与所述栅极绝缘膜接触地形成； 层间绝缘膜，覆盖所述栅极电极； 源极电极，覆盖在所述漂移层的所述上表面露出的所述源极区域以及所述层间绝缘膜； 背面电极，形成于所述漂移层的下表面侧； 第2导电类型的第2阱区域，形成于所述漂移层的所述上表面的所述表层，并且在俯视时包围所述第1阱区域；以及 场绝缘膜，部分性地覆盖所述第2阱区域， 所述栅极电极形成为延伸至所述场绝缘膜的上表面， 所述层间绝缘膜部分性地覆盖所述场绝缘膜的所述上表面中的所述栅极电极， 所述半导体装置还具备栅极部，该栅极部在俯视时与所述场绝缘膜重叠，与所述源极电极分离开，并且覆盖所述层间绝缘膜和从所述层间绝缘膜露出的所述栅极电极， 将在俯视时离开所述第1阱区域的方向的端部设为外侧端部， 所述栅极电极的所述外侧端部比所述栅极部的所述外侧端部更远离所述第1阱区域并且比所述第2阱区域的所述外侧端部更接近所述第1阱区域， 在形成为延伸至所述场绝缘膜的所述上表面的所述栅极电极，在所述栅极部的下部形成开口。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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