江苏鲁汶仪器股份有限公司杨宇新获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江苏鲁汶仪器股份有限公司申请的专利一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115715141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110962630.7，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法是由杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;胡冬冬;许开东设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法，包括：提供一基础结构，所述基础结构包括在第一方向上依次设置的衬底、下电极、MTJ层和上电极，所述第一方向垂直于所述衬底且由所述衬底指向所述下电极；从所述上电极背离所述衬底一侧的表面进行第一次刻蚀处理，直至暴露出所述下电极；对所述MTJ层的侧壁进行预处理，以使所述MTJ层的侧壁进行反应，形成一层预设厚度的改性层；进行第二次刻蚀处理，直至暴露出所述衬底。该方法通过对所述MTJ层的侧壁进行预处理以使所述MTJ层的侧壁进行反应，形成一层预设厚度的改性层，该改性层可以将后续刻蚀工艺中的入射离子进行散射处理，以最大程度的降低MTJ损伤。
本发明授权一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一基础结构，所述基础结构包括在第一方向上依次设置的衬底、下电极、MTJ层和上电极，所述第一方向垂直于所述衬底且由所述衬底指向所述下电极； 从所述上电极背离所述衬底一侧的表面进行第一次刻蚀处理，直至暴露出所述下电极； 对所述MTJ层的侧壁进行预处理，以使所述MTJ层的侧壁进行反应，形成一层预设厚度的改性层；其中，所述对所述MTJ层的侧壁进行预处理，以使所述MTJ层的侧壁进行反应，形成一层预设厚度的改性层，包括：在所述MTJ层的侧壁全部暴露出来之后，采用等离子束刻蚀方式对所述MTJ层的侧壁进行预处理，与所述MTJ层的侧壁进行反应，形成一层预设厚度的改性层；所述改性层用于将后续刻蚀工艺中的入射离子进行散射处理； 进行第二次刻蚀处理，直至暴露出所述衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏鲁汶仪器股份有限公司，其通讯地址为：221300 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励