旺宏电子股份有限公司洪敏峰获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利三维AND快闪存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115734606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111046593.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维AND快闪存储器元件及其制造方法是由洪敏峰;梁立言;黄珈择设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维AND快闪存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种三维AND快闪存储器3DANDFlash元件，包括：栅极堆叠结构，设置于介电基底上，且包括多层栅极层与多层绝缘层彼此交互堆叠；通道柱贯穿所述栅极堆叠结构；第一导体柱以及第二导体柱设置于所述通道柱内并贯穿所述栅极堆叠结构，其中所述第一导体柱与所述第二导体柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接；电荷存储结构设置于所述多个栅极层与所述通道柱的侧壁之间；以及保护盖至少覆盖在所述通道柱的顶面上，隔离所述第一导体柱与所述多个栅极层的顶栅极层，且隔离所述第二导体柱与所述多个栅极层的所述顶栅极层。
本发明授权三维AND快闪存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维AND快闪存储器元件，其特征在于，包括： 栅极堆叠结构，设置于介电基底上，且包括多层栅极层与多层绝缘层彼此交互堆叠； 通道柱，设置于所述介电基底上，且贯穿所述栅极堆叠结构； 第一导体柱以及第二导体柱，设置于所述通道柱内并贯穿所述栅极堆叠结构，其中所述第一导体柱与所述第二导体柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接； 电荷存储结构，设置于所述多层栅极层与所述通道柱的侧壁之间；以及 保护盖，至少覆盖在所述通道柱的顶面上，隔离所述第一导体柱与所述多层栅极层的顶栅极层，且隔离所述第二导体柱与所述多层栅极层的所述顶栅极层。
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