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龙图腾网获悉江苏索力德普半导体科技有限公司申请的专利一种高压快恢复二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310009142.3，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种高压快恢复二极管的制备方法是由李娜;王万设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压快恢复二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压快恢复二极管的制备方法，其技术方案包括以下步骤：步骤S1，晶圆选用N‑Sub衬底；步骤S2，晶圆正面生长一层的厚氧化层；步骤S3，晶圆的阳极光刻和湿法刻蚀，第一次B离子注入，第一次退火处理，第二次B离子注入，第二次退火处理；步骤S4，晶圆的阳极P区及终端Ring区上生长TEOS，进行回流；步骤S5，晶圆的接触孔区域光刻和湿法腐蚀；步骤S6，晶圆正面淀积金属铝，形成阳极电极；步骤S7，晶圆正面淀积并固化聚酰亚胺，进行光刻和湿法刻蚀；步骤S8，晶圆减薄处理对背面进行N+注入，进行真空激活；步骤S9，晶圆背面电极生长，本发明优点是保证足够的反向耐压及反向恢复时间的基础上成功的避免寿命控制法导致二极管正向导通压降升高。

本发明授权一种高压快恢复二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，晶圆选用N-Sub衬底，N-Sub衬底的电阻率为80~100ohm-cm； 步骤S2，晶圆正面生长一层的厚氧化层Oxide，厚氧化层设置在上N-Sub衬底，在步骤S2中，厚氧化层的厚度范围为1.4K~2.0Knm； 步骤S3，晶圆的阳极P区及终端Ring区光刻和湿法刻蚀，进行第一次B离子注入，离子浓度范围为4E13~2E15，之后进行第一次退火处理，然后进行第二次B离子注入，离子浓度4E12~8E16，最后进行第二次退火处理； 在步骤S3的第一次B离子注入中，能量70~90kev； 步骤S4，晶圆的阳极P区及终端Ring区上生长一层四乙氧基硅烷TEOS，并进行回流； 在步骤S4中、四乙氧基硅烷TEOS的厚度为1.2knm，回流条件：回流温度880~1000℃，回流时间80~120min，通氧气和氮气； 步骤S5，晶圆的接触孔区域光刻和湿法腐蚀； 步骤S6，晶圆正面淀积4微米金属铝，并进行光刻和湿法刻蚀，形成阳极电极； 步骤S7，晶圆正面淀积并固化5微米聚酰亚胺，进行光刻和湿法刻蚀； 步骤S8，晶圆减薄处理，减薄后衬底厚度70~100µm，之后对背面进行N+注入，注入的离子为P，然后进行真空激活； 在步骤S8中，注入离子杂质浓度控制在2E14~2E16； 在步骤S8中，注入能量控制在50~80kev； 在步骤S8中，真空条件下激活温度300~500℃，时间10~50min； 步骤S9，晶圆背面电极生长。

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