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龙图腾网获悉福建华佳彩有限公司申请的专利一种具有有源层桥接块的高性能TFT阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211395679.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种具有有源层桥接块的高性能TFT阵列基板及其制作方法是由毛清平设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有有源层桥接块的高性能TFT阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及液晶显示屏技术领域，提供一种具有有源层桥接块的高性能TFT阵列基板及其制作方法，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在第一金属层与玻璃衬底的上表面；左有源层，右有源层；桥接层，左右两端分别跟左有源层与右有源层连接；左蚀刻阻挡层，固定设置在栅绝缘层与左有源层的上表面，还开设有左挖孔；右蚀刻阻挡层，固定设置在栅绝缘层与右有源层的上表面，还开设有右挖孔；左桥接块，固定设置在左挖孔；右桥接块，固定设置在右挖孔。本发明的优点在于：在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本发明的TFT阵列基板具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势。

本发明授权一种具有有源层桥接块的高性能TFT阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有有源层桥接块的高性能TFT阵列基板，其特征在于，包括： 玻璃衬底； 第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极； 栅绝缘层，固定设置在所述第一金属层与所述玻璃衬底的上表面； 左有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的左端上方； 右有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的右端上方； 桥接层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，左右两端分别跟所述左有源层与所述右有源层连接； 左蚀刻阻挡层，固定设置在所述栅绝缘层与所述左有源层的上表面，还开设有左挖孔； 右蚀刻阻挡层，固定设置在所述栅绝缘层与所述右有源层的上表面，还开设有右挖孔； 左桥接块，固定设置在所述左挖孔； 右桥接块，固定设置在所述右挖孔； 第二金属层，固定设置在所述左蚀刻阻挡层的上表面，与所述左有源层是通过左桥接块连接，形成源极； 第三金属层，固定设置在所述右蚀刻阻挡层的上表面，与所述右有源层是通过右桥接块连接，形成漏极； 所述左桥接块、右桥接块与所述桥接层都是相同的材质； 所述左有源层与右有源层都是IGZO材质，所述左蚀刻阻挡层与右蚀刻阻挡层都是SiOx材质，所述桥接层、左桥接块、右桥接块都是ITO材质； 所述左挖孔、右挖孔、通孔均是倒锥形。

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