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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211209221.0，技术领域涉及：H10K59/60；该发明授权显示基板及显示装置是由侯鹏;王冀星;马德钊设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供的显示基板及显示装置，包括衬底基板；多个光敏器件，位于衬底基板的一侧；第一遮光层，位于衬底基板远离多个光敏器件所在层的一侧，第一遮光层包括多个第一开口，多个第一开口在衬底基板上的正投影与多个光敏器件在衬底基板上的正投影相互交叠；多个第一绝缘层，层叠设置在第一遮光层远离衬底基板的一侧，多个第一绝缘层包括贯穿设置的多个第二开口，多个第二开口在衬底基板上的正投影与多个第一开口在衬底基板上的正投影相互交叠，且多个第二开口在衬底基板上的正投影与多个光敏器件在衬底基板上的正投影相互交叠；第一平坦层，位于多个第一绝缘层远离衬底基板的一侧，第一平坦层填充多个第二开口。

本发明授权显示基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 多个光敏器件，位于所述衬底基板的一侧，所述光敏器件包括层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换层为PIN结构，所述PIN结构包括P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；其中，所述P型半导体层位于第一电极与I型半导体层之间，N型半导体层位于I型半导体层与第二电极之间；或者，N型半导体层位于第一电极与I型半导体层之间，P型半导体层位于I型半导体层与第二电极之间； 第一遮光层，位于所述衬底基板远离所述多个光敏器件所在层的一侧，所述第一遮光层包括多个第一开口，所述多个第一开口在所述衬底基板上的正投影与所述多个光敏器件在所述衬底基板上的正投影相互交叠； 多个第一绝缘层，层叠设置在所述第一遮光层远离所述衬底基板的一侧，所述多个第一绝缘层包括贯穿设置的多个第二开口，所述多个第二开口在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一开口在所述衬底基板上的正投影相互交叠，且所述多个第二开口在所述衬底基板上的正投影与所述多个光敏器件在所述衬底基板上的正投影相互交叠； 第一平坦层，位于所述多个第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第一平坦层填充所述多个第二开口； 还包括位于所述第一平坦层远离所述衬底基板一侧的黑矩阵，所述黑矩阵包括多个第三开口，所述多个第三开口在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一开口在所述衬底基板上的正投影相互交叠； 还包括位于所述第一平坦层与所述黑矩阵所在层之间的第二遮光层，所述第二遮光层包括多个第四开口，所述多个第四开口在所述衬底基板上的正投影位于所述多个第三开口在所述衬底基板上的正投影内； 所述第三开口的口径a与所述第四开口的口径b满足以下关系式： 1≤a-b≤a1 a＝2*[H+T*tanθ]2 其中，H为所述第一遮光层与所述第二遮光层在垂直于所述衬底基板的方向上的距离，T为所述第二遮光层与所述黑矩阵在垂直于所述衬底基板的方向上的距离，θ为由所述第四开口约束的入射光线与垂直于所述衬底基板的方向之间的最大夹角。

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