迈来芯电子科技有限公司J·范奥尔斯特获国家专利权
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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利用于确定磁体位置的设备、方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115876065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211192172.4，技术领域涉及：G01B7/00；该发明授权用于确定磁体位置的设备、方法和系统是由J·范奥尔斯特;J·德戈伊斯;N·恰尔内茨基设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于确定磁体位置的设备、方法和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及用于确定磁体位置的设备、方法和系统。一种用于确定磁体的二维位置的位置传感器设备，该磁体是在平面中可移动的并且该磁体产生磁场；该位置传感器设备包括：半导体衬底，该半导体衬底包括多个磁传感器，该多个磁传感器被配置成用于在单个位置处确定三个正交磁场分量Bx、By、Bz；并且其中，半导体衬底进一步包括处理电路，该处理电路被配置成用于基于所述三个正交磁场分量来确定所述二维位置R,θ；X,Y。包括这样的位置设备的控制棒组件。确定所述二维位置的方法。
本发明授权用于确定磁体位置的设备、方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种用于确定两极磁体的二维位置R,θ的位置传感器设备，所述两极磁体是在与半导体衬底平行的平面中可移动的并且所述两极磁体产生磁场；所述位置传感器设备包括： 所述半导体衬底，所述半导体衬底包括多个磁传感器，所述多个磁传感器被配置成用于在单个预定义位置处确定三个正交磁场分量Bx、By、Bz； 并且其中所述半导体衬底进一步包括处理电路，所述处理电路被配置成用于基于所述三个正交磁场分量Bx、By、Bz确定所述二维位置R,θ； 其特征在于， 所述处理电路配置成用于将所述二维位置确定为距所述单个预定义位置的横向距离R、以及关于预定义方向X的方位角θ； 并且其中所述距离R被确定为第一分子和第一分母之比的第一函数，所述第一分子和所述第一分母中的每一者都是至少一个磁场分量Bx、By、Bz的函数或表达式； 并且其中所述方位角θ被确定为第二分子和第二分母之比的第二函数，所述第二分子和所述第二分母中的每一者都是至少一个平面内磁场分量Bx、By的函数或表达式。
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