江苏大学陈明明获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏大学申请的专利一种钝化硅表面缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310011940.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种钝化硅表面缺陷的方法是由陈明明;曹大威;陈思学;陈鹏宇设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钝化硅表面缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种钝化硅表面缺陷的方法，属于信息技术和太阳能电池领域；本发明利用铁电薄膜表面的极化电荷在硅表面可控产生一定强度大小的表面电场，进而高效且可控地钝化硅表面缺陷；本发明利用HfO2铁电薄膜钝化硅表面缺陷，在高效钝化硅表面缺陷的同时，不会阻碍载流子在硅基异质结器件中的传输；所述钝化硅表面缺陷的方法能够将硅表面载流子寿命提高近1.8倍，具有很强的工业实用性。
本发明授权一种钝化硅表面缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种钝化硅表面缺陷的方法，其特征在于，通过在硅片表面形成HfO2铁电薄膜来钝化Si表面缺陷；所述方法包括： 1将处理干净的硅片放入原子层沉积设备中，采用循环交替沉积HfO2和氧化物材料，在硅片表面形成薄膜结构；所述氧化物包括Al2O3、ZrO2或SiO2； 当金属氧化物为Al2O3时，每一个循环中沉积17-21层HfO2材料、1层Al2O3材料，重复循环7-10次，在硅片表面形成HfO2xAl2O3y薄膜，其中x:y=17~21:1； 当金属氧化物为ZrO2时，每一个循环中沉积1层HfO2材料、1层ZrO2材料，重复循环40-60次，在硅片表面形成HfO2xZrO2y薄膜，其中x:y=0.5:0.5； 2对步骤1中硅片表面形成的薄膜结构进行快速退火处理，使得硅片表面形成HfO2铁电薄膜； 所述快速退火处理的条件为：退火气氛为氮气，退火温度为450-1000oC，退火时间为45-75秒，形成HfO2铁电薄膜。
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