上海华力集成电路制造有限公司刘思哲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利框架单元标记伪栅版图及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211331521.6，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权框架单元标记伪栅版图及其设计方法是由刘思哲设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本框架单元标记伪栅版图及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种框架单元标记伪栅版图，包括框架图形，框架图形为单个shot中除芯片以外的剩余区域的图形；框架图形上设有标记图形，标记图形用于定义出衬底切割道上用于对准和测量的图形；标记图形间具有间隙，标记图形间插入有第一伪栅图形；设于标记图形内的第二伪栅图形，第二伪栅图形根据不同层次的标记图形设置不同的尺寸；设于标记图形上的假块标记层，假块标记层用于定义伪栅不形成的区域。本发明对原有框架单元标记伪栅版图进行伪栅图形添加处理，以达到测量或者对准的目的，解决了在先进技术节点工艺存在套准标记脱落的问题。
本发明授权框架单元标记伪栅版图及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种框架单元标记伪栅版图，其特征在于，包括： 框架图形，所述框架图形为单个shot中除芯片以外的剩余区域的图形； 所述框架图形上设有标记图形，所述标记图形用于定义出衬底切割道上用于对准和测量的图形，所述标记图形位于的区域包括M0A层和后段金属层； 所述标记图形间具有间隙，所述标记图形间插入有第一伪栅图形； 设于所述标记图形内的第二伪栅图形，所述第二伪栅图形根据所述M0A层和所述后段金属层这不同层次的所述标记图形设置不同的尺寸； 设于所述标记图形上的假块标记层，所述假块标记层用于定义伪栅不形成的区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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