上海擎茂微电子科技有限公司吴小利获国家专利权
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龙图腾网获悉上海擎茂微电子科技有限公司申请的专利一种带有电压峰值抑制元胞的IGBT芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211385058.3，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种带有电压峰值抑制元胞的IGBT芯片是由吴小利;王海军设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有电压峰值抑制元胞的IGBT芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带有电压峰值抑制元胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片关断时栅极放电电流的速度，进而减小了由此产生的峰值电压。
本发明授权一种带有电压峰值抑制元胞的IGBT芯片在权利要求书中公布了：1.一种带有电压峰值抑制元胞的IGBT芯片，包括芯片本体，芯片本体包括多个正常元胞，其特征在于：芯片本体还包括若干抑制元胞，抑制元胞的衬底1表面设有元胞栅极沟槽2及抑制栅极沟槽3，元胞栅极沟槽内设有元胞区多晶硅栅极4，抑制栅极沟槽内设有抑制多晶硅栅极5，元胞区多晶硅栅极及抑制多晶硅栅极均为N型多晶硅，抑制多晶硅栅极的表面设有P型多晶硅反型层6，抑制多晶硅栅极及元胞区多晶硅栅极之间还设有位于衬底表面的N型表面多晶硅连接层7，N型表面多晶硅连接层的一端连接P型多晶硅反型层，另一端与元胞区多晶硅栅极连接，所述元胞栅极沟槽与相邻正常元胞的栅极沟槽之间，或与相邻抑制元胞的元胞栅极沟槽之间设有位于衬底表面的发射极区8，所述P型多晶硅反型层、N型表面多晶硅连接层及元胞区多晶硅栅极的表面均设有绝缘介质层9，所述元胞栅极沟槽的上方设有发射极金属10，发射极金属通过发射极接触孔11与发射极区连接，所述抑制栅极沟槽上方设有栅极金属12，栅极金属通过栅极接触孔13与抑制多晶硅栅极连接。
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