华中科技大学毕晓君获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211618703.1，技术领域涉及：H01L23/58；该发明授权一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构是由毕晓君;马强设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构，包括：差分MZM芯片和基板；差分MZM芯片的电极侧朝下，正对基板；基板的上表面铺设有金属，金属的面积超出预设值；基板的上表面通过倒装焊的焊点与差分MZM芯片电极侧的地电极互连，基板上表面金属形成有效的交流信号地结构，使得差分MZM芯片电极与上表面金属之间形成等效的微带线结构；当差分MZM芯片工作时，差分MZM芯片电极侧的正电极产生微带线效应，使得差分MZM芯片的性能得到优化。本发明的基板铺地倒装焊方案综合考虑了倒装焊工艺与芯片之间的寄生，并利用这种寄生，使MZM的电极形成微带线效应，从而达到降低微波损耗、提高阻抗匹配和速度匹配的效果。
本发明授权一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构在权利要求书中公布了：1.一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构，其特征在于，包括：差分马赫曾德调制器MZM芯片和基板； 所述差分MZM芯片的电极侧朝下，正对基板； 所述基板的上表面铺设有金属，所述金属的面积超出预设值；所述基板的上表面通过倒装焊的焊点与差分MZM芯片电极侧的地电极互连，基板上表面金属形成有效的交流信号地结构，使得差分MZM芯片电极与上表面金属之间形成等效的微带线结构；当所述差分MZM芯片工作时，差分MZM芯片电极侧的正电极产生微带线效应，使得差分MZM芯片的性能得到优化； 其中，所述基板的上表面金属的面积超出或偏离MZM芯片电极的投影范围，以能够使所述正电极产生微带线效应为准； 其中，所述基板的上表面金属的图案为整片金属、网格、密集互连的格栅、偏离MZM电极投影范围的金属条或其他能够让正电极产生微带线效应所需的等效交流信号地结构的图案。
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