池州天赐高新材料有限公司郭冬冬获国家专利权
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龙图腾网获悉池州天赐高新材料有限公司申请的专利氟硅酸制氟化氢的方法及制备系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115970611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211740000.6,技术领域涉及:B01J19/00;该发明授权氟硅酸制氟化氢的方法及制备系统是由郭冬冬;杨金华;侯亚军;徐彪;高飞设计研发完成,并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本氟硅酸制氟化氢的方法及制备系统在说明书摘要公布了:本发明涉及氟硅酸制氟化氢的方法及制备系统,包括包括依次连通的反应釜、氟化氢吸收塔、冷凝器以及四氟化硅吸收塔;所述反应釜上的出气口与氟化氢吸收塔的进气口连通,所述氟化氢吸收塔的出气口与冷凝器的进气口连通,本发明通过将反应釜中生成的氟磺酸通入汽提塔中,可以将副反应生成的氟磺酸重新生成氟化氢,减少中间产物的生成,使得本发明的工艺路线无废渣、无废气,使得氟硅酸得到有效利用。
本发明授权氟硅酸制氟化氢的方法及制备系统在权利要求书中公布了:1.氟硅酸制氟化氢的制备系统,其特征在于:包括依次连通的反应釜1、氟化氢吸收塔2、冷凝器3以及四氟化硅吸收塔4; 所述四氟化硅吸收塔4包括塔体41,所述塔体41内部并靠近顶部一端设置有喷淋机构,所述塔体41底部通过支撑架设置有U型的沉降管43,所述沉降管43底部居中处连通设置有沉淀管44,所述沉淀管44具有膨胀节存储固定颗粒,所述塔体41内部并位于沉降管43顶部设置有导流罩42,所以塔体41的进气口位于导流罩42和分布盘47之间,所述导流罩42底部与沉降管43的其中一端连通,所述沉降管43两端之间设置有连通管,所述沉降管43的另一端侧壁设置有循环管45,所述循环管45的顶部与氟硅酸进液管连通; 所述喷淋组件包括在塔体41顶部设置的驱动组件,所述驱动组件顶部与氟硅酸进液管连通,所述驱动组件位于塔体41内部的一端设置有分布盘47,所述分布盘47底部连通设置有多组喷嘴; 所述驱动组件包括转动轴48和电机49,所述塔体41顶部转动插接有中空的转动轴48,所述转动轴48底部连通设置有分布盘47,所述塔体41顶部一侧设置有电机49,所述电机49的输出轴通过传动带与转动轴48表面传动连接,所述转动轴48顶部转动插接有氟硅酸进液管; 所述分布盘47底部设置有扰流件46,所述扰流件46包括设置于分布盘47底部固定轴,所述固定轴表面交错分布有多组扰流棒。
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