华灿光电(苏州)有限公司李翠玲获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利具有复合P型层的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116014045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211729109.X，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权具有复合P型层的发光二极管及其制备方法是由李翠玲;蒋媛媛;从颖;梅劲设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有复合P型层的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种具有复合P型层的发光二极管及其制备方法，属于发光二极管领域。该发光二极管包括：衬底，以及在衬底的一面依次生长的N型层、多量子阱层和复合P型层。复合P型层包括依次生长的第一层、中间层和第二层；第一层和第二层为非掺杂的N型AlxGa1‑xN层0＜x＜1、非掺杂的N型InyGa1‑yN层0＜y＜1或者周期性层叠的非掺杂的AlxGa1‑xNInyGa1‑yN层0＜x＜1，且0＜y＜1中的任一种；中间层为掺Mg的GaN层。本公开能够有效的提高发光二极管的发光效率。
本发明授权具有复合P型层的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有复合P型层的发光二极管，其特征在于，包括： 衬底10，以及在所述衬底10的一面依次生长的N型层20、多量子阱层30和复合P型层40； 所述复合P型层40包括依次生长的第一层410、中间层420和第二层430； 所述第一层410为非掺杂的N型AlaGa1-aN层、非掺杂的N型InbGa1-bN层或者周期性层叠的非掺杂的AlcGa1-cNIndGa1-dN层中的任一种，0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1； 所述第二层430为非掺杂的N型AleGa1-eN层、非掺杂的N型InfGa1-fN层或者周期性层叠的非掺杂的AlgGa1-gNInhGa1-hN层中的任一种，0＜e＜1，0＜f＜1，0＜g＜1，0＜h＜1； 所述中间层420为掺Mg的GaN层。
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