北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司孟凡理获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111277354.7，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法是由孟凡理;陈江博;李泽源设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法，属于通讯技术领域。本公开的导电网格的制备方法包括：在衬底基板上形成第一介质层，并对第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽；在形成有多个第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部；将形成有多个第一开槽的第一介质层去除，并在形成有多个第一限定部的第二介质层背离衬底基板的一侧形成第三介质层，并对第三介质层进行处理，裸露出第一限定部背离衬底基板的表面；将第一限定部去除，形成位于第三介质层中的多个第二开槽；通过电镀工艺在第二开槽内形成导电材料，并通过构图工艺形成包括导电网格的图形。
本发明授权导电网格的制备方法和薄膜传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种导电网格的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一介质层，并对所述第一介质层进行图案化，形成多个第一开槽； 在形成有多个所述第一开槽的第一介质层背离衬底基板的一侧形成第二介质层，并对所述第二介质层进行图案化，形成多个第一限定部，所述第一限定部为中空结构，且一个所述第一限定部的侧壁仅与一个所述第一开槽的侧壁相贴合，第一限定部的侧壁厚度即为所要形成的导电网格线的宽度；将所述形成有多个所述第一开槽的第一介质层去除，并在形成有多个第一限定部的第二介质层背离衬底基板的一侧形成第三介质层，并对所述第三介质层进行处理，裸露出所述第一限定部背离所述衬底基板的表面； 将所述第一限定部去除，形成位于所述第三介质层中的多个第二开槽； 通过电镀工艺在所述第二开槽内形成导电材料，并通过构图工艺形成包括导电网格的图形。
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