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中国科学院电工研究所张瑾获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种碳化硅器件功率循环测试电路及控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116087736B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310196795.7,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种碳化硅器件功率循环测试电路及控制方法是由张瑾;金昊设计研发完成,并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

一种碳化硅器件功率循环测试电路及控制方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种碳化硅MOSFET器件功率循环测试电路及控制方法,针对MOSFET加热正向电流加热、体二极管测温反向电流测温方式,同时实现加热电流和测量电流的快速响应以及稳定输出,克服现有技术中由于加热电流和测量电流断续,所造成的电流恢复速度慢、大电流冲击以及测温不准等问题。

本发明授权一种碳化硅器件功率循环测试电路及控制方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅MOSFET器件功率循环测试电路,其特征在于:由加热电源、测量电流源、第一支路加热开关、第一支路测量开关、第二支路加热开关、第二支路测量开关以及若干被测件组成; 所述第一支路加热开关的一端分别与第二支路加热开关的一端和加热电源的正极相连,第一支路加热开关的另一端分别与第一支路测量开关的一端和第一被测件的漏极相连;第一支路测量开关的另外一端分别与测量电流源的负极和第二支路测量开关的一端相连;第一被测件、第二被测件和第三被测件首尾串联组成第一支路,第三被测件的源极分别与测量电流源的正极、第六被测件的源极以及加热电源的负极相连; 第二支路加热开关的一端分别与第一支路加热开关的一端和加热电源的正极相连,第二支路加热开关的另一端分别与第二支路测量开关的一端和第四被测件的漏极相连;第二支路测量开关的另外一端分别与测量电流源的负极和第一支路测量开关的一端相连;第四被测件、第五被测件和第六被测件首尾串联组成第二支路,第六被测件的源极分别与测量电流源的正极、第三被测件的源极以及加热电源的负极相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院电工研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区中关村北二条6号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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