昕原半导体(上海)有限公司高夫获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利基于单线接口的非易失性存储器烧录系统、方法、设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116129969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111516893.1,技术领域涉及:G11C16/10;该发明授权基于单线接口的非易失性存储器烧录系统、方法、设备是由高夫;周旭东;汪毅设计研发完成,并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于单线接口的非易失性存储器烧录系统、方法、设备在说明书摘要公布了:本发明提供一种基于单线接口的非易失性存储器烧录系统、方法、设备,首先通过充电泵抬升单线接口的电压以形成增高电压,再由电源管理模块监控该增高电压,以根据该增高电压形成监控信息,再根据监控信息判断增高电压是否有效,并根据增高电压是否有效调整非易失性存储器的烧录,如此,不需要额外的供电便可实现非易失性存储器烧录,减少对单线接口供电能力的依赖性,简化了非易失性存储器的供电系统,节省供电IO,降低成本。
本发明授权基于单线接口的非易失性存储器烧录系统、方法、设备在权利要求书中公布了:1.一种基于单线接口的非易失性存储器烧录系统,其特征在于,包括单线接口和非易失性存储器,其中, 在所述单线接口上设置有充电泵,所述充电泵用于抬升所述单线接口的电压以形成增高电压; 所述充电泵连接有电源管理模块,所述电源管理模块用于监控所述增高电压,以根据所述增高电压形成监控信息; 所述电源管理模块连接有非易失性存储器控制器,且所述非易失性存储器控制器与所述非易失性存储器相连接;其中,所述非易失性存储器控制器用于根据所述监控信息判断所述增高电压是否有效,并根据所述增高电压是否有效调整所述非易失性存储器的烧录; 所述电源管理模块与所述非易失性存储器相连接; 所述电源管理模块还用于在形成监控信息的同时,将所述增高电压输出至所述非易失性存储器中; 所述非易失性存储器控制器包括电压有效判断单元、烧录执行单元、烧录状态判断单元和烧录信息保存单元;其中, 所述电压有效判断单元用于根据所述监控信息判断所述增高电压是否有效;其中,若所述监控信息记载的增高电压等于或高于预设的电压阈值,则所述增高电压为有效电压;若所述监控信息记载的增高电压低于所述电压阈值,则所述增高电压为无效电压; 所述烧录执行单元用于进行烧录的执行和中止;其中,若所述增高电压为有效电压,则启动烧录状态机,基于预存储的烧录信息对所述非易失性存储器进行烧录,并且在烧录的过程中持续判断所述增高电压是否依旧为有效电压,若持续为有效电压则在烧录流程结束前持续烧录;若所述增高电压为无效电压,则不启动烧录状态机,或发出烧录中止请求; 所述烧录状态判断单元用于检测所述非易失性存储器的烧录状态;其中所述烧录状态包括至少两个烧录阶段;并且,若所述烧录阶段全部烧录完成,则烧录流程结束; 所述烧录信息保存单元用于接收所述烧录中止请求,并在已接收所述烧录中止请求的情况下确认所述非易失性存储器的当前的烧录阶段,保存关于所述烧录阶段的烧录信息,并复位烧录状态机。
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