天狼芯半导体(成都)有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211700452.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法是由刘涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法，抗单粒子烧毁的功率器件包括：半导体衬底、N型缓冲层、N型漂移层、电子传输层、P型基层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一栅极材料层、第二栅极材料层、源极掺杂区、源极金属层、P型重掺杂区以及漏极金属层。本申请通过设置P型重掺杂区和电子传输层，使得P型重掺杂区和电子传输层接触的位置可以形成一个高浓度的体二极管，使得分离开的空穴更多了流向P型重掺杂区而不是P型阱区，防止功率器件寄生的NPN三极管打开，进而降低功率器件内部的电流密度，能够在不牺牲基础电学特性的前提下显著提高功率器件的抗单粒子烧毁能力。
本发明授权一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子烧毁的功率器件，其特征在于，所述抗单粒子烧毁的功率器件包括： 半导体衬底； N型缓冲层，设于所述半导体衬底的正面； N型漂移层，设于所述N型缓冲层上； 电子传输层，设于所述N型漂移层上； P型基层，设于所述电子传输层上； 第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层，设于所述N型漂移层上；其中，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层将所述P型基层划分为多个P型阱区，将所述电子传输层划分为多个电子传输区； 第一栅极材料层、第二栅极材料层，分别设于所述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层内； 源极掺杂区，设于所述P型阱区上； 源极金属层，设于所述源极掺杂区、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层上； P型重掺杂区，设于至少一个所述P型阱区内，且与所述电子传输层和所述源极金属层接触；其中，所述P型重掺杂区的掺杂浓度大于所述P型阱区的浓度； 漏极金属层，设于所述半导体衬底的背面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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