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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利超大功率的X波段内匹配功率管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310079855.7，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权超大功率的X波段内匹配功率管是由黄旭;李剑锋;许春良;余若祺;银军;倪涛;斛彦生;王毅;徐会博;吴家锋;刘志军设计研发完成，并于2023-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本超大功率的X波段内匹配功率管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超大功率的X波段内匹配功率管，属于微波技术领域，包括封装管壳、管芯台、高压GaN管芯、输入匹配电路及输出匹配电路，管芯台封装于所述封装管壳内；高压GaN管芯设置于所述管芯台上，高压GaN管芯工作电压为70～100V；输入匹配电路封装于所述封装管壳内，且与高压GaN管芯键合连接；输出匹配电路封装于封装管壳内，且与高压GaN管芯键合连接。本发明通过匹配电路与管芯台结构设计，提高生产便利性，实现输出功率达到千瓦级别的超大功率X波段内匹配功率管，极大的提高了目前X波段GaN功率管的性能水平。

本发明授权超大功率的X波段内匹配功率管在权利要求书中公布了：1.一种超大功率的X波段内匹配功率管，其特征在于，包括： 封装管壳1； 管芯台5，封装于所述封装管壳1内； 高压GaN管芯4，设置于所述管芯台5上，所述高压GaN管芯4工作电压为70~100V； 输入匹配电路，封装于所述封装管壳1内，且与所述高压GaN管芯4键合连接； 输出匹配电路，封装于所述封装管壳1内，且与所述高压GaN管芯4键合连接； 所述超大功率为千瓦级别输出功率； 所述输入匹配电路包括输入功率分配器2、输入匹配电容3和电感组；所述输入功率分配器2的基体为氧化铝陶瓷板，所述氧化铝陶瓷板上设有带线层及方阻，其中，所述氧化铝陶瓷板厚度为0.35~0.40mm；所述带线层为镀金层，厚度为5~7μm；所述方阻为50Ω的TaN薄膜电阻层； 所述输入匹配电容3的基体为高介电常数陶瓷板，相对介电常数为140-160，厚度为0.12~0.18mm，表面镀金厚度为5~7μm，所述输入功率分配器2与所述输入匹配电容3之间采用金丝连接；所述电感组通过键合金丝连接所述输入匹配电容3； 所述输出匹配电路包括输出功率合成器6、输出匹配电容7和电感组；所述输出功率合成器6的基体为氧化铝陶瓷板，所述氧化铝陶瓷板上设有带线层及方阻，其中，所述氧化铝陶瓷板厚度为0.35~0.40mm；所述带线层为镀金层，厚度为5~7μm；所述方阻为50Ω的TaN薄膜电阻层； 所述输出匹配电容7的基体为高介电常数陶瓷板，相对介电常数为70-90，厚度为0.12~0.18mm，表面镀金厚度为5~7μm，所述输出功率合成器6与所述输出匹配电容7之间采用金丝连接；所述电感组通过键合金丝连接所述输出匹配电容7； 所述管芯台5为钼铜材质，且所述管芯台5为三阶台阶；所述输入功率分配器2和所述输出功率合成器6对称设置在所述管芯台5的两侧，所述输入匹配电容3和所述输出匹配电容7对称设置在所述管芯台5两侧的第二层台阶上，所述高压GaN管芯4设置在所述管芯台5的第三层台阶上；其中，所述输入功率分配器2、所述输出功率合成器6、所述输入匹配电容3、所述输出匹配电容7以及所述高压GaN管芯4的顶面平齐。

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