深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司黎杰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司申请的专利氮化镓集成功率芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310232589.7，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权氮化镓集成功率芯片及其制造方法是由黎杰;庞振江;洪海敏;温雷;卜小松;葛俊雄设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓集成功率芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓集成功率芯片及其制造方法。氮化镓集成功率芯片包括基板、设置在基板上的共源共栅级联结构、金属片和塑封料。共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，氮化镓晶体管的源极与硅晶体管的漏极连接，氮化镓晶体管的栅极与硅晶体管的源极连接。金属片与氮化镓晶体管和或硅晶体管连接。塑封料包封共源共栅级联结构，金属片暴露于塑封料外以用于散热。本发明的技术方案中，金属片与氮化镓晶体管和或硅晶体管连接，通过金属片暴露于塑封料外可以进行散热，减少传热路径，使得氮化镓集成功率芯片的散热能力极大地提高，增强氮化镓集成功率芯片的可靠性。
本发明授权氮化镓集成功率芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓集成功率芯片，其特征在于，所述氮化镓集成功率芯片包括： 基板； 设置在所述基板上的共源共栅级联结构，所述共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，所述氮化镓晶体管的源极与所述硅晶体管的漏极连接，所述氮化镓晶体管的栅极与所述硅晶体管的源极连接； 金属片，所述金属片与所述氮化镓晶体管和或所述硅晶体管连接； 其中，所述金属片包括：第一金属片、第二金属片和第四金属片； 所述第一金属片与所述氮化镓晶体管的漏极连接以作为漏极引脚，所述第二金属片与所述硅晶体管的源极连接以作为源极引脚并用于连接所述硅晶体管的源极和所述氮化镓晶体管的栅极，所述第四金属片用于连接所述硅晶体管的漏极和所述氮化镓晶体管的源极； 塑封料，所述塑封料包封所述共源共栅级联结构，所述金属片暴露于所述塑封料外以用于散热，其中至少所述第二金属片暴露于所述塑封料外以用于散热。
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