清华大学张迪获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利硅基负极材料预锂化的方法及预锂化硅基负极材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111519202.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权硅基负极材料预锂化的方法及预锂化硅基负极材料是由张迪;张晨曦;魏飞设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基负极材料预锂化的方法及预锂化硅基负极材料在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅基负极材料预锂化的方法及预锂化硅基负极材料，硅基负极材料预锂化的方法包括：包覆步骤，用于在Si粉或SiOx粉表面包覆陶瓷层，得到陶瓷层包覆粒子，其中，0x2；混合步骤，用于使陶瓷层包覆粒子与金属锂粉混合，得到混合物；热处理步骤，用于对混合物进行热处理，以使Si粉或SiOx粉锂化，得到预锂化硅基负极材料。本申请提供的硅基负极材料预锂化的方法操作简单、可重复性好，由此克服了现有的预锂化技术不成熟且操作复杂的缺陷，在锂离子电池负极材料等方面具有重要的应用价值。
本发明授权硅基负极材料预锂化的方法及预锂化硅基负极材料在权利要求书中公布了：1.一种硅基负极材料预锂化的方法，其特征在于，包括： 包覆步骤，用于在Si粉或SiOx粉表面包覆陶瓷层，得到陶瓷层包覆粒子，其中，0x2；所述包覆步骤包括：在所述Si粉表面上包覆选自SiC层、Si3N4层、TiN层或TiO2层中的至少一种的陶瓷层； SiC层或Si3N4层包覆Si粉粒子包括：向所述Si粉中通入乙烯，进行加热反应；所述加热反应的温度为850~900℃，时间为40~120min；停止通乙烯，升温后继续反应，得到所述SiC层包覆Si粉粒子；所述升温为将温度升高至1300~1500℃；或向所述Si粉中通入氮气，进行加热反应后降温处理，得到所述Si3N4层包覆Si粉粒子；所述加热反应的温度为1200~1500℃，时间为40~120min，所述降温处理为将温度降至80~100℃ 或在所述SiOx粉表面上包覆选自TiN层或TiO2层中的至少一种的陶瓷层； 混合步骤，用于使所述陶瓷层包覆粒子与金属锂粉混合，得到混合物； 热处理步骤，用于对所述混合物进行热处理，以使所述Si粉或SiOx粉锂化，得到预锂化硅基负极材料。
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