清华大学张迪获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111519203.8，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法是由张迪;张晨曦;魏飞设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法，用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法包括：包覆步骤，用于在硅粉表面包覆碳化硅层，得到碳化硅层包覆粒子；混合步骤，用于使碳化硅层包覆粒子与金属锂粉混合，得到混合物；热处理步骤，用于对混合物进行热处理，得到包含未反应物质的固体产物；后处理步骤，用于对包含未反应物质的固体产物进行洗涤处理，得到储锂碳化硅孪晶材料。本申请提供的用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法，充分利用了热化学方法的工艺特点，能够制备得到具备储锂功能的碳化硅孪晶材料，且该储锂碳化硅孪晶材料具备较高的储锂容量，由此其在用作电池正极材料时能够极大提升电池的能量密度。
本发明授权储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法，其特征在于，包括： 包覆步骤，用于在硅粉表面包覆碳化硅层，得到碳化硅层包覆粒子；所述包覆步骤包括：向所述硅粉中通入乙烯反应气体，进行加热反应；所述加热反应的温度为850~900℃，时间为40~120min；停止通乙烯，升温后继续反应，得到所述碳化硅层包覆粒子；所述升温为将温度升高至1300~1500℃； 混合步骤，用于使所述碳化硅层包覆粒子与金属锂粉混合，得到混合物； 热处理步骤，用于对所述混合物进行热处理，得到包含未反应物质的固体产物； 后处理步骤，用于对所述包含未反应物质的固体产物进行洗涤处理，得到储锂碳化硅孪晶材料。
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