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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种低温漂的双极带隙基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116301159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310288936.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种低温漂的双极带隙基准电压源是由李新瑞;尤路;廖雪;向宏莉;魏海龙;王勇;王清波设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温漂的双极带隙基准电压源在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路领域，公开了一种低温漂的双极带隙基准电压源，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接；带隙基准模块用于生成一阶补偿的带隙基准电压；温度补偿模块用于生成高阶PTAT电流，并通过高阶PTAT电流补偿带隙基准电压中负温度系数的高阶项，得到低温漂的带隙基准电压；直流偏置模块用于生成第一偏置电流和第二偏置电流，并分别发送至带隙基准模块和温度补偿模块。可让电路在不同温度的工作状态下，使带隙基准电压源输出的基准电压不受温度的变化，具有低温漂、适应双极型工艺的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性。

本发明授权一种低温漂的双极带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种低温漂的双极带隙基准电压源，其特征在于，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接； 带隙基准模块用于生成一阶补偿的带隙基准电压； 温度补偿模块用于生成高阶PTAT电流，并通过高阶PTAT电流补偿带隙基准电压中负温度系数的高阶项，得到低温漂的带隙基准电压； 直流偏置模块用于生成第一偏置电流和第二偏置电流，并分别发送至带隙基准模块和温度补偿模块； 所述带隙基准模块包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4和第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；第三电阻R3的第一端设置第一输出节点，第二端连接第二电阻R2的第一端；第二电阻R2的第二端连接第一晶体管Q1的发射极和第二晶体管Q2的发射极；第一晶体管Q1的基极上设置第二输出节点，并和第二晶体管Q2的基极连接；第一晶体管Q1的集电极连接第三晶体管Q3的集电极；第二晶体管Q2的集电极连接第四晶体管Q4的集电极；第三晶体管Q3的基极连接第四晶体管Q4的基极；第四晶体管Q4的基极与集电极短接，发射极连接第一电阻R1的第一端； 所述温度补偿模块包括第六晶体管Q6、第七晶体管Q7、第八晶体管Q8、第九晶体管Q9、第十晶体管Q10、第十一晶体管Q11、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6；第六晶体管Q6的发射极连接第一输出节点，集电极连接第二电阻R2的第一端，基极连接第七晶体管Q7的基极；第七晶体管Q7的发射极连接第一输出节点，集电极与基极短接；第九晶体管Q9的集电极连接第七晶体管Q7的集电极，基极连接第五电阻R5的第二端，发射极连接第四电阻R4的第一端；第八晶体管Q8的集电极连接第一输出节点，基极连接第十晶体管Q10的基极，发射极连接第四电阻R4的第一端；第十晶体管Q10的集电极与基极短接，发射极连接第十一晶体管Q11的集电极；第十一晶体管Q11的基极与集电极短接；第五电阻R5的第一端接第八晶体管Q8的基极，第二端接第六电阻R6的第一端；第六电阻R6的第二端接第十晶体管Q10的发射极； 所述直流偏置模块包括第五晶体管Q5、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；第五晶体管Q5的基极接第三电流源I3的第一端，集电极接第一输出节点；第一电流源I1的第一端接第十晶体管Q10的集电极；第二电流源I2的第一端接第二输出节点。

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