瑞昱半导体股份有限公司余家纬获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利用于滤波器的集成电路布局及集成电路布局方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116306453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111558311.6，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权用于滤波器的集成电路布局及集成电路布局方法是由余家纬;陈永泰;陈朝阳;何升阳设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于滤波器的集成电路布局及集成电路布局方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于滤波器的集成电路布局及集成电路布局方法。该方法包括：决定目标滤波器的架构，包括电容及第一选配元件；划分电容保留区域；将第一选配元件设置在电容保留区域中，并通过位于第一金属层中的多个第一线路将第一选配元件电性连接于电容保留区域外的多个第一外接节点；将该些第一外接节点分别电性连接位于第二金属层中且围绕电容保留区域而设置的多个第二线路；将电容设置在电容保留区域中，且设置在第一选配元件上方。其中，电容具有相对设置的第一金属板及第二金属板，且位于第二金属层及其上方的至少一第三金属层的其中之二之中。
本发明授权用于滤波器的集成电路布局及集成电路布局方法在权利要求书中公布了：1.一种用于滤波器的集成电路布局方法，其特征在于，包括： 决定一目标滤波器的架构，其中，该目标滤波器包括一电容及一第一选配元件，且该第一选配元件为一第一电阻或一第一鳍式场效应晶体管； 在一电路布局中的一预定位置划分一电容保留区域； 将该第一选配元件设置在该电容保留区域中，并通过位于一第一金属层中的多个第一线路将该第一选配元件电性连接于该电容保留区域外的多个第一外接节点； 将所述多个第一外接节点分别电性连接位于一第二金属层中的多个第二线路，其中，所述多个第二线路围绕该电容保留区域而设置，且该第二金属层在该第一金属层上方；以及 将该电容设置在该电容保留区域中，且设置在该第一选配元件上方，其中，该电容具有相对设置的一第一金属板及一第二金属板，且该第一金属板及该第二金属板分别位于该第二金属层及其上方的至少一第三金属层的其中之二之中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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