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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310165071.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片是由刘浩文;黄汇钦设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底上形成层叠设置的缓冲层、漂移层以及势垒层，并由与缓冲层接触的第一电子气隔离结构和第二电子气隔离结构将势垒层和漂移层隔离成多个功能区，在其中一个功能区内形成第一源极金属层、第一漏极金属层、第一栅极金属层、栅极介质层，在另外一个功能区内形成第二漏极金属层、第二源极金属层、第二肖特基金属层、盖帽层，在第三个功能区内形成阴极金属层和第一肖特基金属层，通过选择性连接各个金属层形成一个集成型的共源共栅型HEMT功率器件，可以有效减少寄生电容和寄生电感，提升器件的开关频率，大大扩展了HEMT功率器件的应用场景。

本发明授权一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种共源共栅型HEMT功率器件，其特征在于，所述共源共栅型HEMT功率器件包括： 依次层叠设置的半导体衬底、缓冲层、漂移层以及势垒层； 第一电子气隔离结构和第二电子气隔离结构，分别形成于所述势垒层和所述漂移层内，并与所述缓冲层接触； 盖帽层和栅极介质层，分别形成于所述势垒层上；其中，所述栅极介质层和所述盖帽层分别位于所述第一电子气隔离结构的两侧； 第一源极金属层、第一漏极金属层以及第一栅极金属层，其中，所述第一源极金属层和所述第一漏极金属层分别形成于所述栅极介质层的两侧，所述第一栅极金属层形成于所述栅极介质层上； 第二漏极金属层和第二源极金属层，分别形成于所述盖帽层的两侧； 第一肖特基金属层，形成于所述势垒层上；其中，所述第一肖特基金属层和所述第二源极金属层分别位于所述第二电子气隔离结构的两侧； 阴极金属层，形成于所述势垒层上，且位于所述第一肖特基金属层相邻的位置； 第二肖特基金属层，形成于所述盖帽层上； 绝缘介质层，形成于所述第一栅极金属层、所述第一源极金属层、所述第一漏极金属层、所述第二源极金属层、所述第二漏极金属层、所述阴极金属层以及所述势垒层上； 其中，所述第一源极金属层、所述第二漏极金属层以及所述阴极金属层通过第一金属引线共接，所述第一栅极金属层、所述第二源极金属层以及所述第一肖特基金属层通过第二金属引线共接。

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