天狼芯半导体(成都)有限公司刘浩文获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种半包MOSFET器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310164902.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半包MOSFET器件及其制备方法、芯片是由刘浩文;黄汇钦设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半包MOSFET器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种半包MOSFET器件及其制备方法、芯片，通过在N型衬底的正面形成N型漂移层，然后在N型漂移层上分别形成P型基区和P型屏蔽区，接着在P型基区中注入N型掺杂离子形成N型重掺杂区，对P型屏蔽区进行修饰处理后形成深入至N型漂移层的肖特基金属层，在P型屏蔽区与P型基区之间形成栅极介质层，从而形成一种集成型的半包MOSFET器件，降低了器件在续流时的二极管开启电压和死区时间，并且大大降低了半包MOSFET器件在导通时产生的电流尖峰，有效降低了半包MOSFET器件的开关损耗，增强了半包MOSFET器件的性能和稳定性。
本发明授权一种半包MOSFET器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种半包MOSFET器件，其特征在于，所述半包MOSFET包括： N型衬底； N型漂移层，形成于所述N型衬底的正面； P型基区和P型屏蔽区，分别形成于所述N型漂移层上；其中，所述N型漂移层呈L形结构，所述P型基区位于所述N型漂移层的垂直部上，所述P型屏蔽区位于所述N型漂移层的水平部上，所述P型屏蔽区呈L形结构； 栅极介质层，形成于所述P型屏蔽区的垂直部与所述N型漂移层的垂直部之间，且位于所述P型屏蔽区的水平部上；所述栅极介质层呈凹形结构； N型重掺杂区，形成于所述P型基区上，并与所述栅极介质层接触； P型多晶层，形成于所述栅极介质层的凹槽内； 肖特基金属层，形成于所述P型屏蔽区的垂直部内的通孔内，且与所述N型漂移层接触； 源极金属层，形成于所述P型屏蔽区的垂直部以及所述N型重掺杂区上； 漏极金属层，形成于所述N型衬底的背面； 栅极金属层，形成于所述P型多晶层上。
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