无锡中微晶园电子有限公司喻先坤获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种平面结构超低电容双向TVS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211590669.1，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种平面结构超低电容双向TVS结构是由喻先坤;王涛;黄龙;彭时秋;吴建伟;张世权设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面结构超低电容双向TVS结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种平面结构超低电容双向TVS结构，属于领域，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、P阱、N1区、N2区、N3区、N4区、P1区、P2区、P3区、隔离槽、金属层、钝化层和介质层；第一外延层位于衬底层上，第二外延层位于第一外延层上；P阱形成于第二外延层中，P1区和P2区、N1区和N2区均形成于第二外延层中；P3区、N3区和N4区均形成于P阱中；隔离槽贯穿第一外延层和第二外延层，其底部位于衬底层中；介质层覆盖于第二外延层的表面，并在N+区和P+区上设有开口，N1区和P2区、N2区和N3区、N4区和P3区均通过金属层相连；钝化层覆盖所述介质层和部分金属层。本发明中TVS模块使用回扫结构，大幅度降低箝位电压和漏电参数，提升了芯片整体过流能力。
本发明授权一种平面结构超低电容双向TVS结构在权利要求书中公布了：1.一种平面结构超低电容双向TVS结构，其特征在于，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、P阱、N1区、N2区、N3区、N4区、P1区、P2区、P3区、隔离槽、金属层、钝化层和介质层； 所述第一外延层位于所述衬底层上，所述第二外延层位于所述第一外延层上； 所述P阱形成于所述第二外延层中，所述P1区和所述P2区、所述N1区和所述N2区均形成于所述第二外延层中；所述P3区、所述N3区和所述N4区均形成于所述P阱中； 所述隔离槽贯穿所述第一外延层和所述第二外延层，其底部位于所述衬底层中； 所述介质层覆盖于所述第二外延层的表面，并在N+区和P+区上设有开口，所述N1区和所述P2区、所述N2区和所述N3区、所述N4区和所述P3区均通过金属层相连；所述钝化层覆盖所述介质层和部分金属层。
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