清华大学;芯视界(北京)科技有限公司鲍捷获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;芯视界(北京)科技有限公司申请的专利存储介质制造方法、存储介质及数据读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116665721B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310701007.5，技术领域涉及：G11B7/2403；该发明授权存储介质制造方法、存储介质及数据读取方法是由鲍捷;刘森阳;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储介质制造方法、存储介质及数据读取方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储介质制造方法、存储介质及数据读取方法，所述存储介质制造方法包括：根据待存储信息，确定光谱通道数量与光谱通道阶数；根据光谱通道数量与光谱通道阶数，确定存储单元的材料类别与材料浓度；根据材料类别与材料浓度，获得存储单元；根据存储单元，获得存储介质。根据本公开的实施例的存储介质制造方法，可根据待存储信息确定光谱通道数量与光谱通道阶数，进而选择存储单元的材料类别与材料浓度，进而获得存储单元，可利用多种材料类别与材料浓度，存储与光谱通道数量和光谱通道阶数对应的多维数据，以提升数据存储的密度，适应大容量的数据存储。
本发明授权存储介质制造方法、存储介质及数据读取方法在权利要求书中公布了：1.一种存储介质制造方法，其特征在于，包括： 根据待存储信息，确定光谱通道数量与光谱通道阶数，其中，所述光谱通道数量与所述待存储信息的数量对应，所述光谱通道阶数与所述待存储信息的内容对应，所述光谱图通道阶数表示各光谱通道的权值； 根据所述光谱通道数量与光谱通道阶数，确定存储单元的材料类别与材料浓度； 根据所述材料类别与所述材料浓度，获得与所述待存储信息对应的存储单元； 根据与各待存储信息对应的存储单元，获得存储介质。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清华大学;芯视界(北京)科技有限公司，其通讯地址为：100084 北京市海淀区清华园1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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