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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种提高电子束增材制造表面质量的打印方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116673495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310645436.5，技术领域涉及：B22F10/28；该发明授权一种提高电子束增材制造表面质量的打印方法是由林均品;王飞鸿;梁永锋设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高电子束增材制造表面质量的打印方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高电子束增材制造表面质量的打印方法，所述方法包括：切片参数优化、轮廓虚线扫描策略的设计和周长变化与轮廓参数调整。本发明的方法采用电子束原位重熔实现电子束扫描痕迹的平整化、均匀化，并通过切片优化、轮廓熔道尺寸‑形貌的精细化控制提高了垂直工件侧表面的表面质量。本发明属于合金结构件的增材制造领域。

本发明授权一种提高电子束增材制造表面质量的打印方法在权利要求书中公布了：1.一种提高电子束增材制造表面质量的打印方法，其特征在于，所述方法包括：切片参数优化、轮廓虚线扫描策略的设计和周长变化与轮廓参数调整； 所述切片参数优化包括：建立预打印垂直工件的三维模型，并对三维模型进行切片处理获得分层扫描数据，根据轮廓熔道宽度进行轮廓扫描路径的切片优化，限定填充扫描路径与轮廓扫描路径间的距离与轮廓熔道、填充熔道实际熔宽的比例关系；依次进行粉床预热扫描、轮廓扫描路径扫描和填充扫描路径扫描，得到打印实体； 所述轮廓虚线扫描策略的设计包括：所述粉床预热扫描、轮廓扫描路径扫描和填充扫描路径扫描采用分束扫描方式，并设计轮廓虚线扫描策略为：设计分束间搭接方式，通过控制单个熔池长度和熔池间的搭接距离、搭接方式，实现对连续熔道的原位重熔，将熔道进行平整化、均匀化处理；所述轮廓扫描采用所述平整化处理后的熔道； 所述根据轮廓熔道宽度进行轮廓扫描路径的切片优化包括：限定轮廓扫描路径与工件实际轮廓间隔L补偿＝a×d轮廓，其中d轮廓为轮廓熔道宽度，取0.3-1.4mm，a为比例系数，取0.2-0.8； 所述限定填充扫描路径与轮廓扫描路径间的距离与轮廓熔道、填充熔道实际熔宽的比例关系包括：限定填充扫描路径与轮廓扫描路径最小间隔距离为L搭接＝1-β×r填充+r轮廓，其中β为轮廓填充搭接系数，取0.6-1； r填充为填充熔池半径，取0.2-1mm，r轮廓为轮廓熔池半径，取0.15-0.7mm； 所述周长变化与轮廓参数调整包括：根据工件轮廓周长变化，限定虚线扫描中，分束数量、分束搭接距离、每束停留时间、分束微熔道长度的比例关系，实现成形过程中工件表面质量的一致性控制，得到所述垂直工件的表面粗糙度Ra小于12.6μm。

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