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国硅集成电路技术(无锡)有限公司张允武获国家专利权

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龙图腾网获悉国硅集成电路技术(无锡)有限公司申请的专利一种宽输入稳压电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116774765B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310857987.8,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种宽输入稳压电路是由张允武;禹阔;陈中润设计研发完成,并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种宽输入稳压电路在说明书摘要公布了:本申请公开了一种宽输入稳压电路,属于集成电路技术领域,包括基准电路、模式选择电路、内部供电电路、电荷泵控制电路、衬底控制电路、振荡器、运算放大器、电压比较器、电阻、电容和PMOS管。该电路中,当电源电压VDD小于设定电压时,整体电路工作在工作模式1,开关S0断开,S1闭合,电荷泵控制电路控制电容充放电,VO电压最终达到或接近所需输出电压;当电源电压VDD大于设定电压时,整体电路工作在工作模式2,开关S0闭合,S1断开,电荷泵控制电路为PMOS管P1栅端提供低电平,P1导通,整体电路通过反馈回路实现稳压功能,从而使得VO电压稳定在所需输出电压,实现了在较低电源电压的工作条件下输出电压稳压。

本发明授权一种宽输入稳压电路在权利要求书中公布了:1.一种宽输入稳压电路,其特征在于,所述宽输入稳压电路包括:基准电路、模式选择电路、内部供电电路、电荷泵控制电路、衬底控制电路、振荡器、运算放大器、电压比较器、电阻R0、电阻R1、电容C0、PMOS管P0和PMOS管P1; 所述振荡器的输出端连接所述电荷泵控制电路的时钟输入端口,电源连接VDD; 所述运算放大器的同相输入端连接所述电阻R0和所述电阻R1串联后的公共端口,所述运算放大器的反相输入端连接所述基准电路的输出端,所述运算放大器的输出端连接开关S0至所述PMOS管P0的栅端,电源连接VDD; 所述电压比较器的同相输入端连接基准电路的输出端,所述电压比较器的反相输入端连接所述电阻R0和所述电阻R1串联后的公共端口,所述电压比较器的输出端连接所述电荷泵控制电路的反馈输入端口,电源连接所述VDD; 所述模式选择电路的电源检测端口连接所述VDD,所述模式选择电路的输出检测端口连接所述PMOS管P1的漏端和所述电阻R0的另一端口,所述模式选择电路的基准输入端口连接所述基准电路的输出端,所述模式选择电路的直通控制端口PON和使能输出端口CPEN分别连接所述电荷泵控制电路的直通控制端口和使能输入端口; 所述内部供电电路的高侧输入端口连接所述VDD,所述内部供电电路的低侧输入端口连接所述宽输入稳压电路的输出端口VO,所述内部供电电路的输出端输出电源电压VDDA; 所述衬底控制电路的输入端口连接所述模式选择电路的使能输出端口,所述衬底控制电路的源端输出端口连接所述VDD和所述PMOS管P0的源端,所述衬底控制电路的衬底输出端口连接所述PMOS管P0的衬底,所述衬底控制电路的漏端输出端口连接所述PMOS管P0的漏端、所述PMOS管P1的源端和所述电容C0的一端; 所述电荷泵控制电路的高侧输出端口连接开关S1至所述PMOS管P0的栅端,所述电荷泵控制电路的低侧输出端口连接PMOS管P1的栅端,电容控制端口连接电容C0的另一端; 所述PMOS管P1的衬底连接所述PMOS管P1的漏端;电阻R1的另一端口连接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人国硅集成电路技术(无锡)有限公司,其通讯地址为:214000 江苏省无锡市经济开发区高浪东路999-8-C1-1001-1011室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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