买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116874444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310812396.9，技术领域涉及：C07D277/66；该发明授权具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用是由钱妍;张勇;杨宁婧设计研发完成，并于2023-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本申请公开了具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用，结合ESIPT性质与热激活延迟荧光性质，设计合成能够发生高能级三重态激发态到单重态激发态间的快速反向系间窜越机制的ESIPT材料。该类材料分子激发态具有显著的杂化局域‑电荷转移性质，并具有高的激子利用率。同时，本发明的材料具有良好的热稳定性和成膜性，分别制备了单分子黄光和单分子白光OLED；本发明还将TADF蓝光材料与上述ESIPT黄光材料掺杂作为发光层，且两者之间能量传递受到阻断，通过掺杂比例调控互补色主客体发光峰，制备了低成本、可重复制备、高效、EL光谱稳定、色度可调的白光OLED器件。

本发明授权具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述OLED为单分子黄光高效OLED器件或单分子白光高效OLED器件，所述单分子黄光OLED器件包括一有机发光层，所述有机发光层的材料为具有高激子利用率的ESIPT发光材料PyHBT与主体材料DPEPO掺杂；所述OLED器件为上下叠合的多层结构，所述OLED器件由下至上依次为基片、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层；所述基片的材料为玻璃，所述阳极层的材料为无机材料；所述空穴阻挡层的材料为DPEPO；所述空穴阻挡层的厚度为5nm；所述电子传输层的材料为TPBi；所述电子传输层的厚度为45nm-75nm；所述电子注入层的材料为LiF；所述电子注入层的厚度为1nm；所述阴极层的材料为铝；所述阴极层的厚度为100nm；所述空穴注入层的材料为MoO3；DPEPO与所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料二者的质量比为0.15～0.30；所述有机发光层的厚度为30nm；所述空穴传输层的材料为mCP；所述空穴传输层的厚度为30nm～45nm；所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料的名称为2-苯并[d]噻唑-2-基-4-芘-1-基苯酚PyHBT，化合物分子结构式如下：。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京邮电大学，其通讯地址为：210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。