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龙图腾网获悉安徽微芯长江半导体材料有限公司申请的专利一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116921337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310951602.4，技术领域涉及：B08B3/12；该发明授权一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法是由钟超;贺贤汉;高攀;陈辉;章磊设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法，包括清洗室、集中清洗夹具等装置，其中集中清洗夹具包括第一清洗夹具以及第二清洗夹具,在碳化硅晶片集中放置完毕后，通过控制第一清洗夹具翻转至第二清洗夹具上方让二者位置对应能够形成清洗区域，在清洗的过程中能够控制晶片在清洗区域内移动，让碳化硅晶片不同的位置与清洗区域内不同内壁相接触，能够让碳化硅晶片周向的边缘部分均裸露于清洗区域内，能够提高兆声清洗设备对晶片边缘部分的清洗效果，避免污染物质残留。该发明能够在碳化硅晶片清洗的过程中通过偏转夹具的方式让碳化硅晶片位置发生偏转，加强了对其底端边缘位置的清洁效果，提高了整体清洁效率。

本发明授权一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片集中清洗设备，其特征在于，包括： 清洗室100，内部设置有清洗池110； 集中清洗夹具200，设置于清洗池110内，包括第一清洗夹具210以及第二清洗夹具220，所述第一清洗夹具210与第二清洗夹具220之间通过伸缩组件230连接，且第一清洗夹具210可围绕第二清洗夹具220偏转，所述第一清洗夹具210以及第二清洗夹具220相对时形成清洗区域； 所述第二清洗夹具220通过定位平台240与清洗池110内壁连接，所述定位平台240表面设置有控制第二清洗夹具220偏转的第一偏转装置250，所述第二清洗夹具220侧壁设置有控制第一清洗夹具210偏转的第二偏转装置260； 其中，通过第二偏转装置260控制第一清洗夹具210偏转至与第二清洗夹具220位置相对形成清洗区域，通过第一偏转装置250控制碳化硅晶片位于清洗区域的不同位置完成集中清洗； 所述清洗池110内侧壁安装有定位轨道111，所述定位平台240安装于定位轨道111一侧并且与之滑动连接，所述清洗池110内设置有顶升装置300用于控制集中清洗夹具200升降； 所述顶升装置300包括顶升元件330，所述顶升元件330包括顶升筒体332，所述顶升筒体332内壁密封滑动连接有顶升活塞333，所述顶升活塞333侧壁固定连接有顶升杆331，所述顶升活塞333将顶升筒体332内壁分隔为第一顶升腔室3321以及第二顶升腔室3322，所述第二顶升腔室3322外接液压控制设备，所述第一顶升腔室3321与伸缩组件230连通用于控制其伸缩。

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