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龙图腾网获悉河南大学申请的专利HXMoO3纳米颗粒溶液及其制备方法和应用、量子点发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117003286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310625588.9，技术领域涉及：C01G39/00；该发明授权HXMoO3纳米颗粒溶液及其制备方法和应用、量子点发光二极管是由蒋晓红;梁帅帅;杜祖亮;董鹏月;宋丽媛设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本HXMoO3纳米颗粒溶液及其制备方法和应用、量子点发光二极管在说明书摘要公布了：本发明属于半导体显示与照明材料技术领域，具体涉及一种HXMoO3纳米颗粒溶液及其制备方法和应用、量子点发光二极管。本发明的HXMoO3纳米颗粒溶液的制备方法，基于钼粉与双氧水的氧化反应，在醇类溶剂的作用下，采用对反应后的体系进行过滤、蒸干、分散、离心的提纯过程，能够消除氧化反应残留的钼粉及双氧水，并实现粒径均匀、分布均匀且薄膜具有高导电性及高透过率的HXMoO3纳米颗粒溶液的制备。采用该溶液制备所得HXMoO3纳米颗粒薄膜具有出色的光电性能及极高的稳定性，作为量子点发光二极管的空穴注入层时，器件的亮度和外量子效率高，且使用寿命大幅度提高，适于量子点发光二极管使用。

本发明授权HXMoO3纳米颗粒溶液及其制备方法和应用、量子点发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；所述空穴注入层采用HXMoO3纳米颗粒溶液制备得到； 所述HXMoO3纳米颗粒溶液的制备方法包括以下步骤： 1将钼粉均匀分散在醇类溶剂中，得到钼粉的分散液；在搅拌条件下，向钼粉的分散液中加入双氧水溶液，搅拌反应，得到含有HXMoO3以及未反应原料的复合体系； 2将步骤1所得复合体系进行过滤，然后蒸干，得到HXMoO3粉末材料；所述过滤采用精细度为0.2μm的滤头； 3将步骤2所得HXMoO3粉末材料在醇类溶剂中进行搅拌分散，然后离心，所得上清液即为分散均匀且粒径尺寸均匀的HXMoO3纳米颗粒溶液；所述离心的转速为10000~15000rpm； 所述空穴注入层的制备方法，包括以下步骤：将所述HXMoO3纳米颗粒溶液旋涂在阳极ITO基底上，然后进行低温退火处理；所述旋涂的转速为4000~6000rpm；所述低温退火处理的温度为80~120℃，时间为10~20min。

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