宁夏大学马晓波获国家专利权
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龙图腾网获悉宁夏大学申请的专利一种SiBc8量子点薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117004910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310992206.6，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种SiBc8量子点薄膜的制备方法是由马晓波;王宁;侯君祎设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiBc8量子点薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种SiBc8量子点薄膜的制备方法，通过电子束蒸发镀膜法在基体上沉积非晶硅薄膜，非晶硅的表面有晶体小面，为得到含有SiBc8相的量子点薄膜，在非晶硅薄膜上运用磁控溅射法沉积氧化钽薄膜，氧化钽与非晶硅相互接触，可诱导非晶硅薄膜沿111晶面择优生长为纳米晶硅薄膜，再运用电子束蒸发镀膜法在氧化钽薄膜表面沉积金属钽薄膜，金属钽可以对纳米晶硅薄膜的表面施加残余应力，使得纳米晶硅薄膜晶硅晶格内的Si‑Si键角增大，由Si‑I相相变为SiBc8相，纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜经退火和酸洗后获得含SiBc8相的硅量子点薄膜，相比于Si‑I相的硅量子点，SiBc8量子点薄膜的光电转化效率更高。
本发明授权一种SiBc8量子点薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiBc8量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 选用硅片或玻璃作为基体，并对所述基体进行预处理； 通过电子束蒸发镀膜法在所述基体上沉积非晶硅薄膜； 在所述非晶硅薄膜上运用磁控溅射法沉积氧化钽薄膜，以实现所述非晶硅薄膜沿111晶面择优生长为纳米晶硅薄膜； 在所述氧化钽薄膜表面运用电子束蒸发镀膜法沉积金属钽薄膜，得到纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜； 对所述纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜进行退火处理； 酸洗所述纳米晶硅氧化钽金属钽叠层膜，去除所述氧化钽薄膜和所述金属钽薄膜，获得含SiBc8相的硅量子点薄膜。
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