美新半导体(无锡)有限公司黄黎获国家专利权
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龙图腾网获悉美新半导体(无锡)有限公司申请的专利TMR磁传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117110956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311039696.4，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权TMR磁传感器是由黄黎;蒋乐跃;储莉玲;凌方舟设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本TMR磁传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种TMR磁传感器，其包括：耦接于电源端和输出端之间的第一桥臂；耦接于输出端和接地端之间的第二桥臂；第一桥臂和第二桥臂中的一个为阻值随磁场变化的电阻，另一个为阻值不随磁场变化的电阻，第一桥臂和第二桥臂形成于同一个衬底上，阻值随磁场变化的电阻包括多个磁隧道结，在电流流过阻值随磁场变化的电阻时，电流在磁隧道结的结区的流动方向与所述衬底的表面垂直；在电流流过阻值不随磁场变化的电阻时，电流的流动方向与所述衬底的表面平行。这样，采用一次退火方式就可以实现所述TMR磁传感器，无需采用软磁材料屏蔽TMR磁传感器中的桥臂实现单芯片集成，降低了TMR磁传感器工艺制造的难度。
本发明授权TMR磁传感器在权利要求书中公布了：1.一种TMR磁传感器，其特征在于，其包括： 电源端、接地端和输出端； 耦接于所述电源端和所述输出端之间的第一桥臂； 耦接于所述输出端和所述接地端之间的第二桥臂； 其中第一桥臂和第二桥臂中的一个为阻值随磁场变化的电阻，第一桥臂和第二桥臂中的另一个为阻值不随磁场变化的电阻，第一桥臂和第二桥臂形成于同一个衬底上， 阻值随磁场变化的电阻包括多个磁隧道结，每个磁隧道结包括顶电极区、与所述顶电极区耦接的结区和与所述结区耦接的底电极区，在电流流过阻值随磁场变化的电阻时，电流在所述结区的流动方向与所述衬底的表面垂直； 在电流流过阻值不随磁场变化的电阻时，电流的流动方向与所述衬底的表面平行。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美新半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新辉环路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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