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龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种构建氧缺陷调控二氧化铪5d轨道电子的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117466331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311430227.5，技术领域涉及：C01G27/02；该发明授权一种构建氧缺陷调控二氧化铪5d轨道电子的方法是由刘剑桥;吴宪;王俊生;符策;梁雅馨;柳云婷设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种构建氧缺陷调控二氧化铪5d轨道电子的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种构建氧缺陷调控二氧化铪5d轨道电子的方法，包括：S1：利用水热法，通过调控制备过程中的氧分压，制得带有不同氧缺陷的氧化铪纳米晶体并计算氧缺陷浓度；S2：依据第一性原理进行计算，构建微观结构下的二氧化铪晶体模型，并依据步骤S1的实验结果对相应模型进行修改。S3：根据步骤S2得到的带有氧缺陷的HfO2，分别计算近氧空位端铪原子和远氧空位端铪原子分布的总态密度和分态密度，计算d原子轨道的比例，用以建立调控二氧化铪5d轨道电子的方法。

本发明授权一种构建氧缺陷调控二氧化铪5d轨道电子的方法在权利要求书中公布了：1.一种构建氧缺陷调控二氧化铪5d轨道电子的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：利用水热法，通过调控氧分压，制得不同带有氧缺陷的二氧化铪纳米晶体，计算每个二氧化铪纳米晶体的氧缺陷浓度； 所述调控氧分压的方法为：通过调控高压反应釜中的对位聚苯酚内胆中压强，控制高温反应釜中二氧化铪溶液体积的大小，进而控制氧分压用以制备了不同氧空位浓度的二氧化铪纳米晶体，所述二氧化铪纳米晶体的氧缺陷浓度随着水性二氧化铪溶液加入量的增加而减小； S2：依据第一性原理进行计算，构建微观结构下的HfO2晶体材料模型并利用CASTEP模块对HfO2晶体材料模型进行结构优化，建立m-HfO2的空间结构，选择对称群为C2h，依据步骤S1获得的氧缺陷浓度修改HfO2晶体材料模型，得到带有对应氧缺陷的HfO2晶体模型；所述HfO2晶体模型的氧缺陷浓度为6.5%-13.8%之间的任意数值； S3：根据步骤S2得到的带有氧缺陷的HfO2晶体模型，基于铪原子与氧空位的远近程度将铪原子分为两类，分别为近氧空位端铪原子和远氧空位端铪原子，并基于第一性原理的密度泛函数理论，分别计算近氧空位端铪原子和远氧空位端铪原子分布的总态密度和分态密度，依据电子在d轨道的分布情况，确定氧缺陷浓度对d轨道的影响，以建立调控二氧化铪5d轨道电子的方法。

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