中山大学张柏林获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种低功耗的单行载流子光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410024104.X，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种低功耗的单行载流子光电探测器及其制备方法是由张柏林;黄庚荣;金运姜设计研发完成，并于2024-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低功耗的单行载流子光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗的单行载流子光电探测器及其制备方法，所述探测器采用的是GaAsSbInP材料体系，所述探测器由上至下依次为P型接触层、阻挡层、吸收层、耗尽吸收层、崖层、收集层、N型副收集层、N型接触层以及衬底。本发明器件具有响应度较高且制备难度较低的优势。
本发明授权一种低功耗的单行载流子光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗的单行载流子光电探测器，其特征在于，所述探测器采用的是GaAsSbInP材料体系，所述探测器由上至下依次为P型接触层、阻挡层、吸收层、耗尽吸收层、崖层、收集层、N型副收集层、N型接触层以及衬底； 所述P型接触层的材料采用p型重掺杂的In0.53Ga0.47As材料； 所述阻挡层的材料采用p型重掺杂的Al0.3Ga0.7As0.5Sb0.5材料； 所述吸收层的材料采用p型四级阶梯重型掺杂的窄带隙GaAsSb材料，所述吸收层包括由上至下的第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层以及第四吸收层，所述第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层以及第四吸收层的浓度梯度为预设范围； 所述第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层以及第四吸收层形成能带梯度，增强内建电场，所述浓度梯度为2×1018-4×1017cm-3； 所述耗尽吸收层的材料采用n型轻掺杂的GaAsSb材料； 所述崖层的材料采用n型重掺杂的InP材料； 所述收集层采用轻掺杂的InP材料，所述收集层具备预设场强的电场以降低结电容和保持电子在所述收集层的过冲速度； 所述N型副收集层的材料采用n型重掺杂的InP材料； 所述N型接触层的材料采用n型重掺杂的InP材料。
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