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龙图腾网获悉保定途普拉斯半导体科技有限公司申请的专利一种利用气体放电保护半导体工艺中真空泵的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118080160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410273089.2，技术领域涉及：B03C3/017；该发明授权一种利用气体放电保护半导体工艺中真空泵的方法及装置是由张华霞;冯小军设计研发完成，并于2024-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用气体放电保护半导体工艺中真空泵的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用气体放电保护半导体工艺中真空泵的方法及装置。本方法为：1在半导体制造工艺中的真空室与真空泵之间，自上而下依次设置冷凝模块、等离子体发生模块、导流模块和集尘模块；2冷凝模块对从真空室中排出的残气进行降温，促进废气中的物质凝结为颗粒后输入等离子体发生模块；3等离子体发生模块放电产生等离子体，在废气的流经通道上形成一等离子体区域，用于对废气中的颗粒进行充电；4导流模块产生用于排斥带电颗粒的电场，使带电颗粒远离塔型结构的侧壁后向下运动落入集尘模块的收集槽，将滤除颗粒物后的残气经集尘模块的排气口输出。本发明具有操作方便、全天候、高效率以及低成本的优势。

本发明授权一种利用气体放电保护半导体工艺中真空泵的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种利用气体放电保护半导体工艺中真空泵的方法，其步骤包括： 1在半导体制造工艺中的真空室与真空泵之间，自上而下依次设置冷凝模块、同时起等离子体发生和导流两种作用的螺旋多层金属网以及集尘模块；所述集尘模块的底部边缘具有收集槽，所述集尘模块的底部直接设有排气口；所述螺旋多层金属网的网格半径不大于5mm； 2冷凝模块对从所述真空室中排出的残气进行降温，促进所述废气中的物质凝结为颗粒后输入所述螺旋多层金属网； 3所述螺旋多层金属网与外部射频电源相接，外部射频电源工作后在所述螺旋多层金属网周围产生均匀等离子体，并所述螺旋多层金属网所在的圆筒的内壁表面形成一鞘层电场；在经过所述螺旋多层金属网时，带负电的颗粒物会受到所述螺旋多层金属网的排斥作用而向所述圆筒的侧壁运动，同时在所述圆筒的内壁鞘层电场、以及重力的共同作用下使带电颗粒物落入所述收集槽； 4所述排气口通过排气管与所述真空泵连接，用于将经所述排气口输出的气体经所述真空泵排出。

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