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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118112398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410238843.9，技术领域涉及：G01R31/302；该发明授权一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法是由陈荣;吴朝兴;乐健避;张永爱;周雄图;郭太良设计研发完成，并于2024-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法，无接触检测装置包括：检测基板；检测基板上方设置有探头基板，探头基板上设置有磁探头阵列，磁探头阵列包括多个磁探头，磁探头分别与行电极和列电极进行电连接，行电极和行信号控制器进行连接，列电极和列信号控制器进行连接，行信号控制器和列信号控制器均连接至供电模块，磁探头通入电信号产生高频交变磁场使待检测晶圆级LED芯片内部的载流子形成定向输运和辐射复合产生电致发光；无接触检测装置还包括光信号检测模块，光信号检测模块用于检测待检测晶圆级LED芯片的发光信息。本发明提高了LED芯片的检测速度和检测精准度，避免了LED芯片检测损伤。

本发明授权一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置，其特征在于，所述无接触检测装置包括：用于放置待检测晶圆级LED芯片的检测基板；所述检测基板上方设置有探头基板，所述探头基板上设置有磁探头阵列，所述磁探头阵列包括多个磁探头，所述磁探头分别与行电极和列电极进行电连接，所述行电极和行信号控制器进行连接，所述列电极和列信号控制器进行连接，所述行信号控制器和所述列信号控制器均连接至供电模块，所述行信号控制器和所述列信号控制器用于控制所述磁探头通入电信号以产生高频交变磁场，所述高频交变磁场用于使所述待检测晶圆级LED芯片内部的载流子形成定向输运和辐射复合产生电致发光；所述无接触检测装置还包括光信号检测模块，所述光信号检测模块用于检测所述待检测晶圆级LED芯片的发光信息；其中，所述待检测晶圆级LED芯片的PN结指向和所述高频交变磁场的磁场方向存在夹角； 所述无接触检测装置被配置为：响应于相邻的所述磁探头分别向对应所述待检测晶圆级LED芯片开始进行检测，控制对应的所述行信号控制器和所述列信号控制器通入电信号以使相邻的所述磁探头生成的所述高频交变磁场的时间相错开，进而相邻的所述磁探头对应的所述待检测晶圆级LED芯片在不同的时间段进行发光。

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