美光科技公司R·K·V·曼特钠获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118215297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410305909.1，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统是由R·K·V·曼特钠;A·查杜鲁设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统。形成微电子装置的方法包括形成堆叠结构。导柱结构经形成为竖直延伸穿过所述堆叠结构。至少一个沟槽和额外沟槽经形成为大体上竖直延伸穿过所述堆叠结构。所述额外沟槽中的每一者包括具有第一宽度的第一部分，以及在所述第一部分的水平边界处且具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二部分。介电结构形成于所述至少一个沟槽和所述额外沟槽内。所述介电结构包括接近所述额外沟槽中的至少一些的所述第一部分的所述水平边界的至少一个倾斜部分。所述至少一个倾斜部分以与第一方向和横向于所述第一方向的第二方向成锐角的方式延伸。还描述了微电子装置和电子系统。
本发明授权形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 堆叠结构，其包括以层布置的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列； 导柱，其竖直延伸穿过所述堆叠结构； 填充狭槽结构，其大体上竖直延伸穿过所述堆叠结构；及 至少一个额外填充狭槽结构，其大体上竖直延伸穿过所述堆叠结构且在相交点处与所述填充狭槽结构相交，所述填充狭槽结构的接近所述相交点的部分的宽度相对大于所述填充狭槽结构的从所述相交点偏移的额外部分的额外宽度， 其中所述填充狭槽结构中的至少一个填充狭槽结构包括接近所述相交点中的相应至少一个相交点的至少一个倾斜部分。
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