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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种金属-半导体结构的制备方法及结构、顶栅场效应管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118231233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410300877.6，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种金属-半导体结构的制备方法及结构、顶栅场效应管是由黎长建;张英利;宋家豪;刘熠哲;白印鑫;杨以浩;杜豪鹏;李江宇设计研发完成，并于2024-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属-半导体结构的制备方法及结构、顶栅场效应管在说明书摘要公布了：本申请公开了一种金属‑半导体结构的制备方法及结构、顶栅场效应管，包括，在第一承载层上依次沉积牺牲层和第二承载层，并在第二承载层上通过电子束蒸镀电极金属，形成第一金属层，通过离子束刻蚀第一金属层和第二承载层，得到第一结构；在第一结构上，通过电子束蒸镀电极金属，形成第二金属层，通过离子束刻蚀第二金属层，于牺牲层上形成电极，在刻蚀后的第一结构上旋涂支撑层，得到第二结构；放置第二结构至第一溶解液中，溶解牺牲层，得到第三结构；转移第三结构至衬底，溶解支撑层，得到金属‑半导体结构；本申请通过在牺牲层上蒸镀和套刻金属电极，避免高能粒子与半导体直接接触，解决了金属电极与半导体之间接触性能较差的技术问题。

本发明授权一种金属-半导体结构的制备方法及结构、顶栅场效应管在权利要求书中公布了：1.一种金属-半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 在第一承载层上依次沉积牺牲层和第二承载层，并在所述第二承载层上通过电子束蒸镀电极金属，形成第一金属层，通过离子束刻蚀所述第一金属层和所述第二承载层，得到第一结构； 在所述第一结构上，通过电子束蒸镀电极金属，形成第二金属层，通过离子束刻蚀所述第二金属层，于所述牺牲层上形成电极，在刻蚀后的第一结构上旋涂支撑层，得到第二结构； 放置所述第二结构至第一溶解液中，溶解所述牺牲层，得到第三结构； 转移所述第三结构至衬底，溶解所述支撑层，得到所述金属-半导体结构； 其中，所述第一结构从上至下包括所述第一金属层、所述第二承载层、所述牺牲层和所述第一承载层；所述第二结构从上至下包括所述支撑层、所述电极、所述牺牲层和所述第一承载层；所述第三结构从上至下包括所述支撑层和所述电极，其中，所述电极包括第一金属电极层、第二承载层和第二金属电极层，所述第一金属电极层位于所述第二承载层之上。

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